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Co_4Sb_(12-x)Se_x的高温高压合成及电学输运性能研究: 2009年; 利用高压(2～5GPa)固相反应法合成了单相的方钴矿多晶体化合物Co4Sb12-xSex(0≤x≤1.2)。室温下对其电阻率(ρ),Seebeck系数(S)以及微观形貌(SEM)进行了测试分析。结果表明,高压固相反应法合成的样品Co4Sb12-xSex具有细小的晶粒和大量的晶界,晶粒直径处于微纳米级。样品的Seebeck系数绝对值随Se置换浓度(x)而增大,电阻率随Se置换浓度x的升高而显著增大。在合成压强为4.25GPa时,样品Co4Sb10.8Se1.2具有绝对值最大的Seebeck系数501.59μV/K,Co4Sb11.9Se0.1获得最大的功率因子值为3.77μW/cm.K2。; 秦丙克李尚升李小雷宿太超马红安陈孝洲姜一平邓乐柳洋任国仲贾晓鹏; 关键词：方钴矿热电材料载流子浓度

Effects of aluminum additive on diamond crystallization in the Fe-Ni-C system under high temperature and high pressure conditions被引量：3: 2012年; In this paper, we investigate diamond crystallization in Fe-Ni-C with an aluminum additive and the capability of aluminum for converting graphite to diamond in a series of experiments at 4.9-5.5 GPa and 1240-1500℃. Our experimental results show that the growth habits of diamond crystal have been significantly influenced by the addition of aluminum as a catalyst. The crystal color changes from yellow to nearly colorless. The morphology of the synthesized diamond crystals gradually changes from cubic-octahedron to octahedron in the Fe-Ni-C systems with increasing aluminum additive. The lowest synthesis conditions fell first and then rose with increasing aluminum. We found a suitable addition of aluminum is very effective in lowering the synthesis conditions while an excessive aluminum additive may have a suppressive effect on the diamond nucleation.; ZHANG ZhuangFeiJIA XiaoPengLIU XiaoBingHU MeiHuaLI YongYAN BingMinMA HongAn; 关键词：DIAMOND

熔体旋甩法制备p型填充式方钴矿化合物Ce_(0.3)Fe_(1.5)Co_(2.5)Sb_(12)的微结构及热电性能被引量：1: 2010年; 采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶粒细化.薄带经SPS烧结后得到致密、基本单相、晶粒尺寸均匀细小(150—300nm)的块体.与传统方法制备的试样相比,MS-SPS试样虽然电导率有所降低,但因具有较大的Seebeck系数而获得了相对较高的功率因子.更为重要的是,由于MS-SPS样品中的纳米结构,样品晶格热导率较传统方法制备的Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12降低约30%,因此MS-SPS工艺制备的试样的无量纲热电性能指数ZT与传统方法制备的样品相比有所提高,750K时达到0.55左右.; 郭全胜李涵苏贤礼唐新峰; 关键词：微结构热电性能

熔体旋甩工艺对Zn掺杂Ⅰ-型Ba_8Ga_(12)Zn_2Ge_(32)笼合物微结构及热电性能的影响被引量：1: 2009年; 采用新颖的熔体旋甩(MS)结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了单相Zn掺杂的Ⅰ-型Ba8Ga12Zn2Ge32笼合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响.结果表明,MS得到的薄带自由面主要由300nm—1μm的小立方体单晶组成,薄带经SPS烧结后得到了具有大量层状精细结构的致密块体.与熔融+SPS工艺制备的试样相比,熔融+MS+SPS制备的Ba8Ga12Zn2Ge32笼合物室温载流子浓度增加而迁移率降低,在测试温度范围内,试样的电导率略有下降,Seebeck系数增加,热导率和晶格热导率显著降低,900K时其晶格热导率从1.06W/mK降低至0.42W/mK.熔融+MS+SPS制备的Ba8Ga12Zn2Ge32笼合物试样在900K时其最大ZT值达到0.90,与熔融+SPS试样相比提高了75%.; 曹卫强邓书康唐新峰李鹏; 关键词：热电性能

Ba填充方钴矿化合物的高压合成及热电性能被引量：3: 2010年; 利用高压固相反应方法成功合成了Ba填充型方钴矿化合物BaxCo4Sb12(0.2≤x≤0.8),并探讨了Ba填充及合成压强对化合物电学性能的影响.采用XRD和SEM确定了相组成和晶体形貌,并在室温下测试了材料的电阻率及Seebeck系数.实验结果表明:高压可有助于提高Ba在CoSb3中的填充含量;化合物BaxCo4Sb12的晶粒直径处于微纳米级而且样品中含有大量的微气孔;在合成压强为4.25GPa时,样品BaCoSb获得最高的功率因子13.19μW/(cm.K2).; 秦丙克李小雷李尚升宿太超马红安贾晓鹏; 关键词：热电材料方钴矿

Na填充型方钴矿化合物CoSb_3的高压合成及电输运特性研究被引量：4: 2009年; 利用高压合成方法,在压力为2 GPa、温度为900 K的条件下,以NaN3作为添加剂,成功地合成出了Na填充型的方钴矿化合物CoSb3。X射线衍射(XRD)研究结果表明,当Na填充量达80%时,合成的Na填充型方钴矿化合物CoSb3仍为单相方钴矿结构,没有Na和NaN3等杂质峰。在室温下对不同Na填充量的样品进行了电阻率(ρ)和Seebeck系数(α)的测试,研究了不同Na填充量对样品电阻率、Seebeck系数和功率因子(2ασ)的影响。研究结果表明:室温下,样品的电导率随Na填充量的增加而增大,Seebeck系数的绝对值随Na填充量的增加而减小。当Na填充量为0.4时,样品获得了最高的功率因子(8.72μW.cm-1.K-2),此值高于He等报道的利用热压法制备的CoSb3的值。填充量对样品电输运特性的影响规律与Pei等研究的K填充型CoSb3的研究结果相一致。上述研究结果表明,高压合成技术有利于提高填充型方钴矿化合物的填充量,并有效地提高样品的电输运特性。; 董楠贾晓鹏宿太超姜一平郭建刚邓乐马红安; 关键词：NAN3 热电材料

金刚石的烧结形貌及物相结构被引量：1: 2013年; 在高温高压(5.0GPa、1500℃)的条件下,以Ni70Mn25Co5合金为烧结助剂,采用粉末混合法制备了金刚石复合片(PDC),并采用SEM及Micro-Raman spectroscopy对金刚石烧结体进行了形貌及物相测试。结果表明,由于烧结腔体存在压力、温度梯度,金刚石在经历高温高压烧结后,具有多种烧结形态及物相结构,表现为晶形完整的金刚石微晶、纳米石墨相和无定形碳。; 贾洪声鄂元龙李海波贾晓鹏马红安郑友进; 关键词：金刚石 RAMAN 形貌

熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响被引量：1: 2010年; 采用新颖的熔体旋甩结合放电等离子烧结技术制备了单相InSb化合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响.结果表明,熔体旋甩得到的薄带自由面主要由300nm—2μm的小柱状晶组成,薄带接触面为非晶或精细纳米晶,薄带经烧结后得到了具有大量层状精细纳米结构的致密块体,尺寸约为40nm.与熔融+放电等离子体烧结制备样品相比,在测试温度范围内(300—700K),试样的电导率略有下降,但Seebeck系数显著增加,热导率和晶格热导率显著降低,室温下晶格热导率降低幅度约为10.6%,700K下晶格热导率的降低幅度达16.64%,熔融+熔体旋甩+放电等离子体烧结制备的InSb化合物试样在700K时其最大ZT值达到0.49,与熔融+放电等离子体烧结试样相比提高了29%.; 苏贤礼唐新峰李涵; 关键词：微结构热电性能

金刚石烧结体残余应力的Raman表征被引量：3: 2012年; 通过采用微区拉曼光谱(micro-Raman spectroscopy)测试了不同类型金刚石烧结体的残余应力形式及大小。结果表明,金刚石复合片(PDC)存在不同形式的残余应力(压应力和拉应力),金刚石烧结体径向区域的残余应力为中心高,边缘低;而金刚石球齿应力分布规律不明显,数值亦差别巨大。综上分析,金刚石制品应力分布不均匀主要是由于烧结过程中温度梯度所致。由此,控制高压烧结腔体温场的均一性,是改善残余应力的有效途径。; 贾洪声鄂元龙华中贾晓鹏马红安李季李海波; 关键词：金刚石残余应力拉曼光谱温度梯度

In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律: 2010年; 用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的InxCo4Sb12(x=0.1—0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米InSb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21。; 周龙李涵苏贤礼唐新峰; 关键词：INSB 热电性能

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