您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60244003)

作品数:6 被引量:41H指数:4
相关作者:方国家赵兴中盛苏李春方斌更多>>
相关机构:武汉大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇退火
  • 2篇沉积温度
  • 1篇带隙
  • 1篇导体
  • 1篇电性能
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔阳极氧化...
  • 1篇多孔阳极氧化...
  • 1篇阳极氧化铝
  • 1篇阳极氧化铝模...
  • 1篇氧化铝模板
  • 1篇真空
  • 1篇真空退火
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇碳纳米管阵列
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇退火处理
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇脉冲激光

机构

  • 5篇武汉大学

作者

  • 4篇方国家
  • 4篇赵兴中
  • 2篇李春
  • 2篇盛苏
  • 1篇官文杰
  • 1篇袁龙炎
  • 1篇印志强
  • 1篇陈欣
  • 1篇郭明森
  • 1篇吴天书
  • 1篇方斌
  • 1篇陈志强
  • 1篇陈章红

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2006
  • 2篇2005
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
带隙可调的宽禁带半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜研究进展被引量:6
2005年
MgxZn1 xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一。本文从MgxZn1 xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述,并对其应用前景进行了展望。
李春方国家赵兴中
关键词:宽禁带半导体
Zn_(0.9)Mg_(0.1)O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究被引量:4
2006年
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜.采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa 的真空400℃退火2h后,其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度,增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.
陈志强方国家李春盛苏赵兴中
关键词:沉积温度真空退火
沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响被引量:21
2005年
利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240~310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上.
陈欣方斌官文杰吴天书郭明森方国家赵兴中
关键词:沉积温度退火
Synthesis and characterization of highly-ordered barium-strontium titanate nanotube arrays fabricated by sol-gel method
2009年
Highly uniformed barium-strontium titanate nanotube arrays were fabricated using a porous anodic aluminum oxide template from a barium-strontium titanate sol-gel solution.Electron microscope results showed that nanotubes with uniform length and diameter were obtained.The diameters and lengths of these nanotubes were dependent on the pore diameter and the thickness of the applied anodic aluminum oxide template.High resolution transmission electron microscopy and the selected-area electron diffraction pattern investigations demonstrated the perovskite structure and the polycrystalline of the fabricated barium-strontium titanate nanotubes.The characterization of the electrical and dielectric properties had also been made.Compared to thin film material,the intrinsic leakage current density is almost the same.Besides,at 30 C,the dielectric constant and dielectric loss of the fabricated nanotube is 80 and 0.027 at 1 MHz respectively.
陈煜程伟郭峰李美亚刘威赵兴中
关键词:碳纳米管阵列高分辨透射电子显微镜多孔阳极氧化铝模板
p型ZnO薄膜研究进展被引量:6
2006年
ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.
盛苏方国家袁龙炎
关键词:ZNO薄膜P型掺杂
Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响被引量:4
2006年
用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜。用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加。x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28。
陈章红印志强赵兴中
关键词:无机非金属材料BST薄膜退火介电性能
共1页<1>
聚类工具0