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高功率半导体激光国家重点实验室基金: 作品数：47 被引量：136H指数：6; 相关作者：王晓华魏志鹏方铉方芳李金华更多>>; 相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所南昌大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

低温808 nm高效率半导体激光器被引量：3: 2022年; 为了提高低温工作环境下808 nm半导体激光器的输出特性,深入研究了电光转换效率的温度特性。结合载流子泄漏抑制和器件串联电阻的优化考虑,从理论上深入分析了有源区量子阱内的载流子限制现象,提出针对低温工作环境下的势垒高度及相应的量子阱结构设计方法,包括势垒层的材料组分、厚度等重要参数的优化,极大地改善了器件在低温工作环境下的性能。采用优化后的外延结构,制备了腔长2 mm的半导体激光巴条。在工作温度-50℃、注入电流为600 A时,巴条输出功率达到799 W,电光转换效率为71%,斜率效率为1.34 W/A;注入电流为400 A时,器件达到最高电光转换效率73.5%,此时的载流子限制效率约为99%,串联电阻为0.43 mΩ;在-60~60℃温度范围内,中心波长随温度的漂移系数为0.248 nm/℃。; 吴顺华刘国军王贞福李特; 关键词：半导体激光器温度效应

二极管阵列侧面泵浦固体激光介质的光场分布被引量：14: 2005年; 研究LD阵列侧面泵浦Nd:YAG激光器泵浦光场的分布特点。首先,在已建立的二极管单bar单侧面泵浦YAG晶体泵浦光场分布数值模型的基础上,进一步建立了适用于激光二极管阵列多侧面泵浦YAG晶体的泵浦光场分布数值模型。然后,根据所建模型,采用光线追迹的方法,借助Matlab编程模拟了单侧面、二侧面、三侧面、五侧面泵浦方式的泵浦光分布特点,分析了系统参数:介质半径、介质吸收系数、光束光腰半径、泵浦距离、二极管bar间距、介质表面粗糙程度对泵浦光分布特性的影响,总结出了一般规律。可为二极管泵浦固体激光器的结构设计和实验研究提供理论参考。在理论分析的基础上,进行了单侧面、二侧面泵浦方式的二极管阵列直接侧面泵浦固体激光器的实验研究。实验结果与理论分析结果基本相符,验证了所建数值模型的正确性。该数值模型的特点是:采用光线追迹方法;适用于漫反射表面工作物质;适用于多种侧面直接泵浦方式,具有可扩充性。; 王建华金锋翟刚侯天晋时顺森李晶马楠陈仁; 关键词：二极管侧面泵浦光场分布模拟计算

PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2: 2016年; 研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。; 陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏; 关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度

1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究: 2014年; 设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs、阱宽为7nm时,器件的阈值电流为0.8m A,斜率效率为0.017W/A。当输入电流为8m A时,输出功率达到0.12m W。; 何斌太刘国军魏志鹏安宁刘鹏程刘超王旭; 关键词：垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率

InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究被引量：2: 2014年; 利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。; 戴银李林苑汇帛乔忠良孔令沂谷雷刘洋李特曲轶刘国军; 关键词：金属有机化学气相沉积生长速率生长温度

形貌依赖的ZnO阴极射线发光性质研究被引量：2: 2014年; 采用溶剂热法,通过调节水和乙醇混合液的比例制备了多种形貌的ZnO微米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对ZnO微米结构的形貌及尺寸进行了观察。采用可以实现纳米级微观区域光谱采集的阴极射线发光(CL)技术,对不同形貌的单个粒子的光谱进行精细表征,获得了位置依赖的ZnO阴极射线发光数据。实验结果表明:ZnO材料的发光性质与形貌有关,由于形貌差异导致其局部结晶质量、界面缺陷、表面电荷分布、表面晶面等方面的差异,几种因素共同作用决定其最终的发光性质。; 吕珊珊楚学影王记萍方芳李金华方铉魏志鹏王晓华; 关键词：ZNO 阴极射线发光形貌

光谱稳定的低功耗980nm单模泵浦源半导体激光器被引量：5: 2016年; 由于在很多特殊应用领域要求980 nm泵浦源半导体激光器具有光谱稳定、低功耗等,本文通过对980nm单模半导体激光器的腔长、腔面反射率及光纤光栅反射率等优化设计,研制出低阈值、高功率980 nm光纤光栅外腔波长稳定半导体激光器。该低功耗、波长稳定的单模半导体激光器,在100 m A工作电流下尾纤输出功率达到51 m W,3 d B带宽为0.16 nm,边模抑制比大于40 d B,器件在250 m A工作电流下,尾纤输出功率达到120 m W。; 李辉都继瑶曲轶张晶李再金刘国军; 关键词：半导体激光器光纤布拉格光栅波长稳定低功耗

高性能高应变InGaAs量子阱脊型波导半导体激光器被引量：1: 2006年; 介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50mW.腔长600μm时,器件阈值电流密度为300A/cm2.在100mA电流下,激光器的峰值波长为1.19μm,激光器的最大斜率效率为0.45W/A.在20℃至100℃温度下,激光器的特征温度为129K.; 曲轶J.X.ZhangA.UddinS.M.WangM.SadeghiA.Larsson薄报学刘国军姜会林; 关键词：高应变

高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征被引量：1: 2010年; 利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度（-5×1010cm-2）的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs（In组分的摩尔分数为12%）低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346μm,光谱线宽为24 meV.研究结果表明,利用较低温度生长InAs量子点,结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移,有效地改善材料的光学特性.; 李林张彬李占国李梅刘国军; 关键词：INAS量子点发光特性

GaAs基量子点太阳能电池的制备与特性分析被引量：2: 2014年; 本文在p-i-n基本电池结构引入量子点,比较了量子点太阳能电池材料对于太阳光谱吸收特性的影响。重点讨论了量子点太阳能电池中量子点尺寸不同的情况下,对于光谱吸收特性的影响。实验结果表明,GaAs基本电池材料吸收限在0.89μm,而加入较小尺寸量子点太阳能电池材料的吸收限扩大到1.09μm,而较大尺寸量子点电池材料的吸收限则扩大到1.26μm,实现了材料光谱响应范围的拓展,增加了光吸收范围。与不含量子点的GaAs基本参考电池相比,量子点太阳能电池的短路电流有所提高,开路电压明显降低。; 程玉梅谷雷刘洋戴银李林; 关键词：INAS/GAAS量子点太阳能电池光谱吸收

高功率半导体激光国家重点实验室基金

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