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国防科技重点实验室基金(2002JS0931DZ02)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：韩春周谦张静徐婉静李竞春更多>>
相关机构：电子科技大学中电集团更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变SI
  • 1篇SI
  • 1篇衬底
  • 1篇SIGE
  • 1篇PMOSFE...

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中电集团

作者

  • 1篇李竞春
  • 1篇徐婉静
  • 1篇张静
  • 1篇周谦
  • 1篇韩春

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET被引量：1
2007年
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。
李竞春韩春周谦张静徐婉静
关键词：SIGE应变SIPMOSFET
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共1页<1>
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