国家自然科学基金(50772109)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：理学更多>>
- 在反应磁控溅射过渡区制备高反射膜的工艺控制被引量：4
- 2009年
- 用反应磁控溅射法制备了Ta2O5和SiO2的单层膜和多层高反射薄膜,研究了在过渡区制备高质量光学薄膜的影响因素和机制,探讨了制备高质量光学薄膜的工艺,并引入了一种结合拟合方法的被动控制技术来实现在磁控溅射过渡区制备高质量的光学多层膜。结果表明,在反应磁控溅射过渡区制备的光学薄膜不仅具有比氧化区更高的沉积速率,而且具有更高的折射率和更低的光损耗。在过渡区镀制光学多层膜时速率的变化与溅射电压的漂移有关,并且可以通过监测溅射电压随时间的变化结合拟合算法加以修正。在表面均方根粗糙度为0.56 nm的石英基片上,采用过渡区镀膜和膜厚修正制备了40层的Ta2O5/SiO2高反膜,通过光腔衰荡光谱方法测得的反射率达到99.96%。
- 张盛武黄烽李明宋秋明谢斌王海千赵东锋陈旸姜友松宋亦周
- 关键词：反应磁控溅射过渡区高反膜
- 氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响
- 2010年
- 利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm-3,迁移率为29.7cm2·V-1·s-1.
- 甘柳忠吴炳俊黄烽李明谢斌
- 关键词：AZO薄膜
- 工艺参数对磁控溅射制备ZnO:Al薄膜性能的影响及分析被引量：2
- 2010年
- 采用Al2O3质量分数为2.7%的ZnO:Al(简称AZO)陶瓷靶在RAS-1100C大型中频孪生靶磁控溅射镀膜设备上溅射制备了电阻率在10-3Ω·cm量级、可见光透过率>85%的AZO透明导电薄膜.分析了烘烤温度、氩气流速和溅射功率对薄膜电学性能的影响,同时还对固定在靶材前方不同区域处的衬底上沉积得到的AZO薄膜的电阻率差异进行了研究.实验发现靶材刻蚀沟道正前方处沉积的AZO薄膜的电阻率在10-2Ω·cm量级,而两块靶材中间非溅射区域正前方处所沉积的AZO薄膜的电阻率则在5×10-4Ω·cm左右.此研究结果表明沉积在RAS夹具圆筒上的AZO薄膜的性能是靶前各区域溅射沉积薄膜的性能的混合平均.进一步提高RAS溅射制备的AZO薄膜的性能的关键在于抑制高能氧负离子的轰击注入效应以及提高薄膜的结晶性能.
- 吴炳俊郝常山李明谢斌
- 关键词：AZO薄膜磁控溅射
