科技人员服务企业行动项目(2009GJF0003)
- 作品数：1 被引量：13H指数：1
- 相关作者：成靖文田颖萍范洪远更多>>
- 相关机构：四川大学更多>>
- 发文基金：科技人员服务企业行动项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 氮氩流量比对磁控溅射TiN薄膜生长织构的影响被引量：13
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法,通过控制氮氩流量比,在Si(111)衬底上沉积了TiN薄膜,并用织构系数来量化TiN薄膜的生长取向。对TiN薄膜的织构、物相组成、形貌进行表征,分析了溅射沉积过程中氮氩流量比对TiN薄膜生长织构的影响,同时还分析了不同织构薄膜的表面及截面形貌。结果表明:氮氩流量比低于1∶30时,薄膜的织构由(200)转变为(111),同时还出现了TiN0.61相;(111)织构的薄膜表面均匀,致密性好,粗糙度小,以氮氩流量比为1∶60时所得织构系数为1.63的(111)薄膜最好。
- 田颖萍范洪远成靖文
- 关键词：氮化钛薄膜织构磁控溅射
