您的位置: 专家智库 > >

江苏省自然科学基金(DK2004211)

作品数:3 被引量:2H指数:1
相关作者:施毅刘明郑有炓陈杰智濮林更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇输运
  • 2篇库仑阻塞
  • 2篇
  • 1篇单电子晶体管
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子输运
  • 1篇性质及应用
  • 1篇元胞
  • 1篇元胞自动机
  • 1篇增益
  • 1篇输运特性
  • 1篇自动机
  • 1篇纳电子器件
  • 1篇近藤效应
  • 1篇晶体管
  • 1篇高增益
  • 1篇各向异性
  • 1篇各向异性腐蚀

机构

  • 3篇南京大学
  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇陈杰智
  • 3篇郑有炓
  • 3篇刘明
  • 3篇施毅
  • 2篇濮林
  • 1篇李泠
  • 1篇龙世兵

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
2007年
为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应.基于量子点能级分立模型,分析了器件的输运原理,重点研究了强耦合作用对器件输运性质的影响.研究表明,通过控制量子点的热氧化时间,将器件量子点尺寸减小到7·6nm,增益调节系数提高到0·84.
陈杰智施毅濮林龙世兵刘明郑有炓
关键词:单电子晶体管库仑阻塞
基于元胞自动机理论的硅各向异性腐蚀模型被引量:1
2005年
根据硅各向异性腐蚀在微观尺度下的特点,基于元胞自动机理论提出了新的腐蚀模拟模型.该模型考虑了腐蚀过程中硅不同晶面的晶体结构特点,并通过引入碰撞理论,综合反映了腐蚀温度和浓度对腐蚀的影响作用.该模型可快速准确地模拟分析各向异性腐蚀工艺过程,对优化工艺有着理论指导作用.
陈杰智李泠施毅刘明郑有炓
关键词:元胞自动机各向异性腐蚀
纳电子器件的少电子输运性质及应用被引量:1
2006年
在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。
陈杰智施毅濮林刘明郑有炓
关键词:纳电子器件库仑阻塞近藤效应
共1页<1>
聚类工具0