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中央高校基本科研业务费专项资金(0903005203189)

作品数:2 被引量:3H指数:1
相关作者:鄂鹏段萍卿绍伟更多>>
相关机构:哈尔滨工业大学重庆大学大连海事大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金辽宁省科学技术计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇推力
  • 2篇推力器
  • 2篇霍尔推力器
  • 1篇电子发射
  • 1篇绝缘
  • 1篇二次电子
  • 1篇二次电子发射
  • 1篇放电
  • 1篇放电通道
  • 1篇壁面

机构

  • 2篇大连海事大学
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 2篇重庆大学

作者

  • 2篇卿绍伟
  • 2篇段萍
  • 2篇鄂鹏

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
电子温度各向异性对霍尔推力器中等离子体与壁面相互作用的影响被引量:1
2012年
为进一步揭示霍尔推力器放电通道饱和电子温度高达50—60 eV的原因,利用二维粒子模拟方法研究了霍尔推力器中电子温度各向异性对等离子体与壁面相互作用的影响,统计了等离子体与壁面相互作用的重要物理量,如电子与壁面的碰撞频率、通道电子在壁面的能量沉积及二次电子对通道电子的冷却.结果表明,当电子温度较低时,电子温度各向异性对等离子体与壁面相互作用的影响较小;当电子温度大于24 eV时,等离子体与壁面相互作用明显增强,并且电子温度各向异性会显著地降低电子与壁面的碰撞频率,减小电子在壁面的能量沉积,减弱鞘层对通道电子的冷却效应.电子温度的各向异性通过减弱通道电子与壁面的相互作用,有利于提高霍尔推力器放电通道的饱和电子温度.
卿绍伟鄂鹏段萍
关键词:霍尔推力器
壁面二次电子发射对霍尔推力器放电通道绝缘壁面双鞘特性的影响被引量:2
2013年
为进一步揭示霍尔推力器放电通道绝缘壁面鞘层的特性,利用考虑了壁面二次电子分布函数的一维稳态流体鞘层模型,研究了壁面二次电子发射对近壁双鞘特性的影响.分析结果表明,由于壁面发射的二次电子对近壁鞘层中的电子密度有增加作用,存在一个临界二次电子发射系数σdc使得:当σσdc时,鞘层为单层的正离子鞘结构;当σ>σdc时,鞘层表现为双层的正离子鞘和电子鞘相连结构,连接点对应于垂直于壁面方向上电势分布的拐点.然而,当σ进一步增大到0.999时,鞘层转变为三层的正离子鞘-电子鞘-正离子鞘交替结构.数值结果表明:随着σ的增加,电子鞘与离子鞘的连接点向远离壁面的方向移动,电子鞘的厚度逐渐增加;随着壁面出射电子能量系数a的增加,近壁区鞘层的厚度也逐渐增加.
卿绍伟鄂鹏段萍
关键词:霍尔推力器
共1页<1>
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