国防科技重点实验室基金(9140C060C0603)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- 自对准栅型谐振隧穿晶体管试制
- 2007年
- 针对谐振隧穿二极管（RTD）在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿法腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,初步研制出具有较明显栅控能力的谐振隧穿晶体管（RTT）单管,其峰值电流密度高达80.8kA/cm^2,峰谷电流比为3.6,负阻阻值在20Ω左右。研究还发现,器件的峰值电流随栅压增大而减小,谷值电流随栅压增大而增大,而且出现零点分离。这些现象与栅的纵向位置控制不当有关,可以通过减小栅间发射极宽度,缩短栅与势垒层距离,和减小发射层掺杂浓度得到改善。
- 齐海涛冯震李亚丽张雄文郭维廉
- 关键词：负阻自对准工艺
