国家自然科学基金(61274137)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 相关作者：郭杰郝瑞亭袁俊张小雷段剑金更多>>
- 相关机构：云南师范大学昆明物理研究所洛阳光电技术发展中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程电气工程更多>>
- 化学水浴法制备薄膜太阳电池缓冲层材料的研究进展
- 2014年
- 从各反应条件对薄膜生长及其性能影响的角度,对CdS缓冲层的制备工艺进行了评述,并对新型无镉缓冲层的研究进展给予了重点介绍。最后展望了薄膜太阳电池缓冲层材料的发展方向,并指出了其发展应用中需要解决的问题。
- 刘颖缪彦美郝瑞亭杨海刚邓书康郭杰
- 关键词：薄膜太阳电池缓冲层
- InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究被引量：2
- 2014年
- 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右,少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的Ⅲ族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后,表面漏电大大减小,反偏漏电流密度降低三个数量级,零偏阻抗R0达到106欧姆,R0A达到103量级。
- 郭杰张小雷段剑金郝瑞亭许林
- 关键词：INAS
- 非蒸散型薄膜吸气剂的研究现状及应用进展被引量：6
- 2018年
- 非蒸散型吸气剂薄膜是超高或极超高真空系统获得和维持真空条件的重要材料,近年来吸气剂广泛应用于MEMS真空封装领域。综述了非蒸散型吸气剂的材料体系、研究现状和工程应用,介绍国内外吸气剂薄膜的研究现状、存在的主要问题及发展趋势。讨论了吸气剂在MEMS真空封装系统的工作原理,传统吸气剂在封装领域的挑战,薄膜吸气剂在封装系统遇到的问题和发展趋势。
- 单睿齐通通黎秉哲郭杰袁俊
- Sb浸润界面对InAs/InAsSb超晶格晶体结构和探测器性能的影响被引量：1
- 2020年
- 采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平整,表面粗糙度仅为1.28;超晶格晶体结构更完整,界面起伏明显减小,与衬底的晶格失配度由3.26%减小到2.97%。InAs/InAsSb超晶格探测器的50%截止波长为10μm,量子效率为3.1%;Sb浸润界面的超晶格具有更低的暗电流和更高的微分阻抗,-50 mV偏压下暗电流密度为0.12 A/cm^ 2,零偏阻抗面积乘积(R 0A)为0.44Ω·cm^2,计算得到探测率为5.06×10^7 cm·Hz 1/2/W。Sb浸润界面有效抑制了Sb的扩散,提高了超晶格的晶体质量和探测性能,但失配应力依然很大。这些结果为高质量长波红外InAs/InAsSb超晶格的界面生长提供了依据。
- 齐通通郭杰王国伟郝瑞亭徐应强常发然
- 关键词：长波红外探测器分子束外延
