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国家自然科学基金(61274139)

作品数：2 被引量：0H指数：0
相关作者：胡淑红戴宁吕英飞郭建华邱锋更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇液相外延
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇红外
  • 1篇砷
  • 1篇铟

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇吕英飞
  • 2篇戴宁
  • 2篇胡淑红
  • 1篇俞国林
  • 1篇王奇伟
  • 1篇孙常鸿
  • 1篇邓惠勇
  • 1篇周炜
  • 1篇王洋
  • 1篇邱锋
  • 1篇郭建华

传媒

  • 2篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaSb量子点液相外延生长
2013年
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
胡淑红邱锋吕英飞孙常鸿王奇伟郭建华邓惠勇戴宁ZHUANG Qian-DongYIN MinKRIER Anthony
液相外延制备的InAs0.94Sb0.06薄膜的光学性质
2016年
采用液相外延方法在In As衬底上制备了In As0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000-6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下In As衬底和In As0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定In As0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 e V.
吕英飞周炜王洋俞国林胡淑红戴宁
关键词：液相外延光学性质
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