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ZrB_2-B_4C复相陶瓷的SPS烧结过程研究被引量：1: 2009年; 采用碳化硼还原法,利用SPS烧结技术烧结制备了ZrB2-B4C复相陶瓷。采用热力学计算、示差扫描量热分析,结合不同温度下产物的物相分析,探讨了两个体系的SPS反应过程;对烧结过程中样品收缩数据进行分析,探讨了ZrB2-B4C体系的烧结机理。结果表明,原位制备ZrB2-B4C复相陶瓷过程中,反应温度与热力学理论计算的结果基本一致;在烧结初期收缩符合粘性流动传质方程,其烧结是表面熔融烧结机制。; 袁辉平李俊国沈强张联盟; 关键词：SPS

沉积温度和退火处理对BCN薄膜结构的影响被引量：2: 2010年; 采用脉冲激光沉积技术,在Si(100)基片上制备了BCN薄膜,研究了沉积温度和退火处理对BCN薄膜组分和结构的影响。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对制备的BCN薄膜进行了表征。结果表明:沉积温度升高时,BCN薄膜的组分无明显改变。所制备的BCN薄膜包含B—N,C—B和C—N化学键,是由杂化的B—C—N键构成的化合物。真空退火温度为700℃时,BCN薄膜结构稳定;大气退火温度达到600℃时,BCN薄膜表面发生氧化分解,同时有C≡N键形成,表明C≡N键具有较好的高温热稳定性。; 杨琼王传彬章嵩张东明沈强张联盟; 关键词：沉积温度退火脉冲激光沉积

放电等离子烧结碳化硼陶瓷的工艺研究被引量：4: 2009年; 以单质硼粉和石墨粉为原料,采用放电等离子烧结技术(Spark Plasma Sintering,SPS)制备了碳化硼陶瓷,使碳化硼的合成和致密化一次完成。系统研究了烧结温度、烧结压力、保温时间和升温制度等SPS工艺条件对碳化硼陶瓷烧结性能的影响。结果表明:碳化硼合成的起始温度在1100℃左右;较高的烧结温度和烧结压力、适中的保温时间和升温速率,以及两步保温的升温制度有利于碳化硼陶瓷的烧结致密化;确定了适宜的SPS工艺条件为烧结温度1800℃、烧结压力40 MPa、保温时间6 min,升温速率100℃/min、两步保温,在此条件下得到了致密度较高的碳化硼陶瓷。; 陈刚章嵩王传彬沈强张联盟; 关键词：碳化硼放电等离子烧结致密度

高结晶度氮掺杂介孔TiO_2的制备及光催化活性(英文)被引量：5: 2012年; 以钛酸丁酯为钛源,尿素为氮源,聚丙烯酰胺(PAM)和聚乙二醇(PEG)为复合模板剂,采用溶胶-凝胶法,在氮气和空气气氛中分段煅烧,制得高结晶度氮掺杂介孔TiO2光催化剂.利用X射线衍射、透射电镜、N2吸附-脱附、X射线光电子能谱和紫外-可见漫反射光谱等技术对其进行了表征.结果表明,当PAM和PEG的质量比为1:4时,先在氮气中600°C煅烧,后在空气中500°C煅烧所得样品是锐钛矿相,具有良好的孔隙结构和较高的结晶度,平均孔径为5.11nm,晶粒尺寸为12.5nm,比表面积110.8m2/g.掺杂介孔TiO2的氮主要以取代氮和化学吸附分子γ-N2的形式存在,少量以间隙氮形式存在.氮掺杂使TiO2的能带变窄,吸收带边明显红移,且使光吸收强度显著增大.光催化降解甲基橙实验结果表明,与未掺杂样品相比,氮掺杂介孔TiO2在可见光作用下表现出较高的催化活性.; 刘二强郭晓玲秦雷申国栋王向东; 关键词：介孔二氧化钛氮掺杂高结晶度光催化活性甲基橙

硼碳氮薄膜的脉冲激光沉积及其光学性能被引量：3: 2010年; 采用脉冲激光沉积技术,在Si（100）和石英基片上制备了硼碳氮薄膜（BCN）。利用X射线衍射（XRD）,傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）和紫外-可见分光光度计对BCN薄膜进行了表征,研究了激光能量密度对BCN薄膜沉积速率、组分、结构和光学性能的影响。FTIR和XPS分析结果表明BCN薄膜中包含B-C,C-N和N-B化学键,说明实现了B、C和N的原子级化合。当激光能量密度从1 J/cm2增加到6 J/cm2时,BCN薄膜的沉积速率加快,N含量由7.2%增加到15%,光学禁带宽度（Eg）从4.02 eV降低到3.82 eV,Eg的降低主要与BCN薄膜中碳含量的增加有关。; 杨琼王传彬章嵩张东明沈强张联盟; 关键词：硼碳氮薄膜脉冲激光沉积光学性能

碳化硼陶瓷的放电等离子烧结及其力学性能被引量：6: 2009年; 以硼粉和石墨粉为原料,采用放电等离子烧结技术(SPS)反应烧结碳化硼陶瓷,使碳化硼的合成和致密化一次完成。研究结果表明:碳化硼的SPS反应烧结过程可以分为5个阶段,碳化硼合成的起始温度在1100℃左右,致密化的起始温度则在1650℃左右;在1800℃烧结得到了致密度为98.2%的碳化硼陶瓷,其维氏硬度和杨氏模量分别达到48.8 GPa和264.5 GPa。; 陈刚章嵩王传彬沈强张联盟; 关键词：碳化硼放电等离子烧结力学性能

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国家自然科学基金(50772082)