国家自然科学基金(50772080)
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 相关作者：刘启明干福熹何漩赵修建钱士雄更多>>
- 相关机构：武汉理工大学复旦大学中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程化学工程更多>>
- 二阶非线性Maker条纹测试及模拟
- 2010年
- 据Maxwell方程及电磁波在界面上的边界条件,采用Math CAD软件对1064 nm基频光在二阶非线性介质中的传播进行Maker条纹模拟,得到二阶非线性介质中产生532nm倍频光的强度模拟公式。同时对倍频晶体材料、电场/温度场极化后玻璃的实验Maker条纹测试结果与理论结果进行比较。结果表明:倍频晶体的Maker测量结果与模拟相吻合;对电场/温度场极化玻璃样品的模拟结果,在一定范围内与测量结果相一致。理论模拟可对样品制备、Maker条纹测试及二阶非线性极化机理探讨具有一定的指导意义。
- 何漩刘启明赵修建POUMECCEC BLANCRY M
- 关键词：MAXWELL方程二阶非线性
- 硫系非晶半导体薄膜中的超快光Kerr效应被引量：5
- 2009年
- 利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3,As2Se3,GeS2,GeSe2,Ge20 As25S55,Ge20 As25Se55,Ge10 As40S20Se30七个体系硫系非晶态半导体薄膜的三阶非线性性能,结果表明硫系非晶态半导体薄膜具有较大的三阶非线性极化率χ(3)值(达10-12esu),非线性响应时间很快(小于200fs).并根据测量结果计算出了薄膜的非线性折射率和吸收.硫系非晶半导体薄膜中较大的非线性极化率值的出现是由于核外电子轨道的非线性扭曲所致.
- 刘启明何漩干福熹钱士雄
- 关键词：全光开关三阶非线性
- 硫系非晶半导体薄膜的光致效应被引量：1
- 2009年
- 采用热蒸镀膜方法,在制备出As_2S_3、As_2Se_3、GeS_2、GeSe_2、Ge_(20)As_(25)S_(55)、Ge_(20)As_(25)Se_(55)和Ge_(10)As_(40)S_(20)Se_(30)七个体系硫系非晶态半导体薄膜的基础上,运用X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜和吸收或透射光谱等测试手段,系统地探讨了薄膜在氩离子激光辐照作用下的光致暗化、光致漂白和光致结晶等光致效应及机理。在As_2S_3、As_2Se_3和Ge_(10)As_(40)S_(20)Se_(30)薄膜中观察到明显的光致暗化效应,而在GeS_2、GeSe_2、Ge_(20)As_(25)S_(55)和Ge_(20)As_(25)Se_(55)薄膜中则观察到明显的光致漂泊效应。经氩离子激光辐照后,在薄膜中均观察到明显的光致结晶现象。
- 刘启明胡婷赵修建干福熹
