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国家重点基础研究发展计划(G200036501)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：张兴黄如王阳元廖怀林张国艳更多>>
相关机构：北京大学香港科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇噪声
  • 1篇热噪声
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI器件
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 1篇张国艳
  • 1篇廖怀林
  • 1篇王阳元
  • 1篇黄如
  • 1篇张兴

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型被引量：3
2002年
提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .
张国艳廖怀林黄如Mansun chan张兴王阳元
关键词：SOI热噪声
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共1页<1>
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