国家高技术研究发展计划(2005AA842040)
- 作品数：3 被引量：25H指数：3
- 相关作者：范正修申雁鸣贺洪波邵淑英邵建达更多>>
- 相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 薄膜厚度对HfO_2薄膜残余应力的影响被引量：10
- 2007年
- HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加而减小,当薄膜厚度达到一定值后,应力值趋于稳定。从微观结构变化对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的本征应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素。
- 申雁鸣贺洪波邵淑英范正修邵建达
- 关键词：HFO2薄膜残余应力膜厚电子束蒸发
- 真空镀膜中基底预应力的有限元分析被引量：6
- 2006年
- 真空镀膜过程中,基底因支撑、温度梯度造成的应变会对最终的薄膜-基底系统的面形产生影响。用有限元方法对不同支撑方式下不同尺寸基底的预应力以及烘烤过程中基底内部温度梯度造成的热应力进行了分析和计算,得到基底表面变形的峰谷值,并给出了不同工况下基底形变的等值线图。对于尺寸超过200 mm的基底,自重变形量和热应力变形量比较大,是影响最终薄膜面形的重要因素;装夹时随着基底倾角的增大,基底的形变与应力呈减小趋势;同样结构尺寸情况下,熔融石英基底的自重变形量略大于BK7基底,热变形量远小于BK7基底;热应力对基底预应力的贡献较大。
- 孙荣阁易葵范正修
- 关键词：应力有限元温度梯度热应力
- 沉积温度对电子束蒸发HfO_2薄膜残余应力的影响被引量：11
- 2006年
- 采用电子束蒸发沉积方法在BK7玻璃基底和熔融石英基底上沉积了HfO2薄膜,研究了不同沉积温度下的应力变化规律。利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。结果发现在所考察的实验条件下HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小。两种基底上薄膜的残余应力的主要产生机制不同。对于BK7玻璃基底HfO2薄膜的残余应力起决定作用的是内应力,熔融石英基底上HfO2薄膜的残余应力在较低沉积温度下制备的薄膜起决定作用的是热应力,在沉积温度进一步升高后内应力开始起决定作用。通过对样品的X射线衍射(XRD)测试,发现在所考察的温度范围内,HfO2薄膜的结构发生了晶态转换,这一结构转变与薄膜残余应力的变化相对应。两种基底上薄膜微结构的演变及基底性能差异是两种基底上薄膜应力不同的主要原因。
- 申雁鸣贺洪波邵淑英范正修
- 关键词：HFO2薄膜残余应力沉积温度基底电子束蒸发
