辽宁省博士科研启动基金(20071017)
- 作品数：9 被引量：11H指数：3
- 相关作者：樊占国李凤华李英楠高锋王娜更多>>
- 相关机构：东北大学西北有色金属研究院更多>>
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- 相关领域：电气工程一般工业技术理学电子电信更多>>
- MOD法在BaPbO_3/LaAlO_3上沉积YBa_2Cu_3O_(7-σ)层的研究被引量：2
- 2008年
- 实验配制了一种新型的YBCO前驱溶液,经过旋转涂覆和适当的热处理工艺,在单晶LaAlO3(100)基底和以BaPbO3为缓冲层的LaAlO3基底两种结构上外延生长YBa2Cu3O7-σ(YBCO)超导层。XRD结果表明:在两种结构上均生长了单相的YBCO层,YBCO晶粒沿垂直于基底表面的c轴方向外延生长。这种择优性在以BaPbO3为缓冲层的YBCO结构中更加明显。SEM结果表明,在两种结构上均形成致密的YBCO层。
- 高锋李凤华王娜李英楠樊占国
- 关键词：BAPBO3MODYBCO缓冲层超导体
- 前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮对YBa_2Cu_3O_(7-δ)膜形貌和性能的影响被引量：4
- 2009年
- 用三氟乙酸金属有机物沉积(TFA-MOD)方法在LaAlO3(100)基底上生长YBa2Cu3O7-δ(YB-CO)超导薄膜,研究了向前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对YBCO薄膜微结构和超导性能的影响。涂膜在氧气环境中进行200～250℃热解,再经775℃氩气环境下结晶后获得YBCO超导薄膜。在相同热处理条件下,未添加PVP的前驱液制得的YBCO薄膜临界电流密度为4050A/cm2,添加PVP的前驱液制得的YBCO薄膜临界电流密度为5800A/cm2。后者表现出较少的孔洞,较强的c轴取向,较纯的双轴织构和较高的临界电流密度。因此,向前驱液中添加PVP的化学方法可以改进YBCO涂层导体的MOD制备过程。总压,氧分压和热处理温度等工艺条件将进一步优化,以提高临界电流密度。
- 李英楠李凤华李成山卢亚峰樊占国
- 关键词：TFA-MODPVP超导电性
- MOD法在LaAlO_3单晶上沉积La_(0.4)Sr_(0.6)CoO_3导电缓冲层被引量：3
- 2011年
- 用金属有机物沉积(MOD)法在LaAlO3(100)单晶基底上制备了立方钙钛矿型导电缓冲层La0.4Sr0.6CoO3(LaSrCoO)薄膜。根据热分析曲线确定前驱膜的热处理工艺,其中前驱膜的热分解温度为620～800℃,涂膜的结晶温度为825℃。由X射线衍射(XRD)分析可知,热处理后涂膜的主相是LaSrCoO,其择优取向为<100>;另外还有La2CO5和LaCoO3等杂相。由φ扫描和(100)极图可知,所制备的涂膜有较强双轴织构。用标准四引线法测量了涂膜的室温和低温电阻率,在77K时达到1.04×10-4?·m,实现了沉积导电缓冲层的目的。
- 李英楠李凤华沈悦樊占国李成山卢亚峰
- 关键词：立方织构
- 采用钙钛矿导电缓冲层提高YBCO涂层导体临界电流密度的可行性研究
- 2010年
- 以Ni合金为基底的YBCO涂层导体具有三明治结构,从下至上分别是:Ni合金、缓冲层、YBCO涂层与稳定层.在实用超导薄膜内部,局域超导电流由于晶粒弱连接、缺陷或裂纹等原因突然消失的情况下,一旦能量耗散超过临界值将会导致超导薄膜失超.在典型的YBCO涂层导体结构中,由于缓冲层是绝缘的氧化物,只能通过顶层的Ag或Cu稳定层的分流来实现电流传输方向的调整.如果在YBCO与正常金属基底之间存在连续的导体连接,即缓冲层导电,就可以不需稳定层,减少涂层导体的整体厚度,提高工程临界电流密度JE.如果钙钛矿导电缓冲层均匀无裂纹且足够厚,就可以起到隔离、外延、电流传输三重功效,同时提高JE.采用全化学溶液法制备了具有(00l)择优取向的BaPbO3,La0.5Sr0.5TiO3钙钛矿导电缓冲层与YBCO涂层,对于探索低成本的实用化工艺路线具有重要的实际应用价值.
- 李凤华罗清威李英楠樊占国
- 关键词：YBCO涂层导体钙钛矿临界电流密度
- MOD法在La_(0.47)Sr_(0.53)TiO_3/LaAlO_3上沉积YBa_2Cu_3O_(7-σ)超导层的研究被引量：4
- 2008年
- 实验通过无氟的金属有机物液相沉积法在单晶LaAlO3(LAO)基底上生长La1-xSrxTiO3缓冲层,之后在其上生长YBa2Cu3O7-σ(YBCO)超导层,这种制备方法与真空沉积法和三氟乙酸金属有机物沉积法相比,具有成本低、效率高和环境友好等优点,对YBCO涂层导体的实际应用更具有研究价值。X射线衍射(XRD)结果表明,在LAO基底上生成了纯净的La1-xSrxTiO3膜,在La1-xSrxTiO3/LAO结构上生成了单相的YBCO膜,构成两种膜的晶粒均具有沿垂直于基底表面的c轴方向择优生长;通过半定量的能谱分析(EDS)确定缓冲层La1-xSrxTiO3为La0.47Sr0.53TiO3相,表明部分La元素挥发;扫描电子显微镜(SEM)结果表明在LAO基底上生成的La0.47Sr0.53TiO3膜平整光滑;在La0.47Sr0.53TiO3/LAO结构上生长的YBCO成膜颗粒聚集成片状,相互叠加生长,形成平行于基底表面的超导层。
- 高锋李凤华王娜李英楠樊占国
- 关键词：MODYBCO涂层导体
- March-Dollase函数在计算铜带择优取向上的应用
- 2009年
- 根据XRD衍射图谱分析了Cu加工的择优取向行为,采用极密度相除的方法对March-Dollase函数求解过程进行了简化,使之可以直接根据XRD衍射图谱的若干峰值算出r值,间接计算择优取向的体积分数。把实测样品的XRD衍射花样与由Rietveld程序根据March-Dollase函数反推的XRD衍射花样进行对比,发现当r值小于0.45时两者符合良好,说明在此条件下(r<0.45)本数值计算方法对r值的计算准确可靠,能够估算择优取向体积分数。
- 李英楠李凤华樊占国李成山卢亚锋
- 关键词：冷轧再结晶
- 化学溶液法合成La_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3导电薄膜的研究
- 2010年
- 采用化学溶液沉积法制备了La0.5Sr0.5Ti O3(LSTO)外延薄膜作为第二代高温超导带材YBCO涂层导体的缓冲层.以乙酸镧、碳酸锶和钛酸丁酯为前驱物,配制了La离子浓度为0.14 mol/L的前驱液,经旋转涂覆和适当的热处理制得LSTO薄膜.对薄膜前驱粉末进行了热重与差热分析,确定了LSTO的合成过程.X射线衍射分析表明,在840,890℃恒温60 min的热处理后样品薄膜为单相的LSTO,具有明显的(100)择优生长取向,缓慢升温更有利于LSTO薄膜的结晶.扫描电镜结果表明:LSTO薄膜表面光滑致密,采用四探针法测得薄膜电阻率约为1×10-2Ω.cm.这种方法制取的LSTO薄膜电阻率小,外延性好,可作为YBCO涂层导体的导电缓冲层.
- 李凤华罗清威高锋樊占国
- 关键词：YBCO涂层导体
- 化学溶液沉积法在LaAlO_3基底上制备La_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3外延薄膜被引量：2
- 2009年
- 在常压下采用经济、适合规模化生产的化学溶液沉积法生长外延的La1-xSrxTiO3薄膜,为YBa2Cu3O7-σ（YBCO）涂层导体提供导电缓冲层。前驱溶液经旋转涂覆在单晶LaAlO3（001）基底上,在纯氩气氛下分别于840,890,940和990℃恒温60 min制备薄膜。X射线衍射（XRD）分析,在890-990℃的热处理条件下,均得到纯净的具有良好外延性的La1-xSrxTiO3薄膜。通过扫描电子显微镜（SEM）和扫描隧道显微镜（STM）观察,样品表面光滑致密,膜厚约为180 nm。通过半定量能谱（EDS）分析,确定薄膜成分为La0.4Sr0.6TiO3,表明热处理过程中元素La部分挥发。在890℃热处理温度下制得薄膜的电阻率约为1×10^-2Ω.cm。
- 高锋李凤华李英楠王娜樊占国
- 关键词：缓冲层超导薄膜
- 用于YBCO高温超导涂层的立方织构铜基带制备
- 2008年
- Cu是制备双轴织构YBCO高温超导涂层的优良基带材料之一,立方织构的铜带可以提供良好的外延生长环境。文中采用轧制辅助双轴织构基带技术(RABiTS),研究了立方织构铜基带的制备工艺。将铜锭在初轧变形量达到88.4%后,进行400℃退火30min,再经二次轧制总变形量达到99.07%后,在氩气环境125—850℃之间不同温度下退火30min。用March-Dollase函数计算该系列样品的r值,其中850℃退火的样品具有最强的200择优取向,r值为0.25,用不完整极图对该样品的织构情况做进一步分析,用ODF函数定量计算了该样品立方织构的体积百分含量。该样品形成了较强的{001}<100>立方织构,体积百分含量为70.8%。
- 李英楠李凤华高峰樊占国
- 关键词：再结晶织构
