北京市自然科学基金(2123065)
- 作品数：4 被引量：3H指数：2
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- 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。
- 杨秋旻刘超张家奇崔利杰曾一平
- 关键词：碲化锌快速退火晶体质量表面形貌
- 常用太阳电池结构模拟软件应用分析
- 2013年
- 对PCID、SCAPS-1D、AMPS、FORS--HET四种太阳电池一维结构模拟软件进行了应用分析，重点介绍它们的应用范围、软件结构、主要功能及其技术特色。四种软件的基本功能相似，均可在PC机上对常见半导体太阳电池的结构进行模拟计算，但侧重点各不相同。以典型太阳电池器件为例，对上述软件分别进行了模拟计算演示，模拟结果均与实验结果十分符合，显示了太阳电池模拟软件在优化电池器件结构设计上的重要应用价值。
- 张理嫩崔利杰刘超
- 关键词：太阳电池模拟软件AMPS
- Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2
- 2013年
- Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池。本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径。
- 杨秋旻刘超崔利杰曾一平
- 关键词：叠层太阳能电池掺杂
- ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
- 2012年
- 利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432arcsec增大到529arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00nm增大到3.70nm。当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求。
- 张家奇杨秋旻赵杰崔利杰刘超曾一平
- 关键词：硒化锌N型掺杂分子束外延II-VI族化合物半导体
