国家自然科学基金(61274035)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 65纳米工艺下低功耗高线性度音频ΣΔ模数转换器的研究与实现被引量：1
- 2013年
- 本论文设计了一款适合音频应用的低功耗、高线性度ΣΔADC。此ADC包含了高性能2-1级联单比特量化ΣΔ调制器和采用ROM、RAM设计的低功耗,高面积利用率数字抽取滤波器。此款ADC芯片采用中芯国际65nm 1P8M混合信号CMOS制作工艺,核心面积为0.581平方毫米。测试结果表明,本文设计的ΣΔADC在22.05kHz的音频带宽内,采样频率为5MHz时最高信噪失真比可达90dB,动态范围为93dB,在1.2V供电电压下功耗为2.2mW,同时实现了高性能与低功耗。
- 曹天霖孙颖韩雁梁国廖璐罗豪
- 关键词：低功耗高线性度
- 一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法被引量：2
- 2013年
- 提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法,该方法类似于实际的TLP测量过程,在器件结构上施加一系列电流脉冲,获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电压响应70%～90%部分的平均值,取得的每一对电压和电流平均值作为I-V曲线上的一点,从而得到电流-电压特性曲线。在此基础上,不仅可得到触发电压Vt1和维持电压Vh,而且可以获取二次击穿电流It2。对LSCR的仿真结果表明仿真结果与测试结果符合的很好。
- 丁扣宝黄大海
- 关键词：静电放电仿真多脉冲
- 填充辅助多晶硅图形的参数成品率版图优化
- 2015年
- 在纳米工艺下,为了更好地抵抗工艺波动的影响,减小位于标准单元边界处的MOS管沟道长度随聚焦误差引起的变化,提出在现有版图基础上在两相邻标准单元间填充最优辅助多晶硅图形的版图优化方式以提高芯片的参数成品率.通过修改所填充的辅助多晶硅图形的线宽、线间距以及线条数的特征属性,利用光刻仿真得到针对不同多晶硅特征图形的最优辅助多晶硅图形,由此构建一个查表模型.在现有版图基础上,对位于标准单元边界处的各个MOS管提取出其相应的多晶硅特征图形,并利用所提取出的特征图形查找查表模型分别得到最优的辅助多晶硅图形,根据版图设计规则将辅助多晶硅图形填充至两相邻标准单元之间.分别对测试版图优化前后进行光刻仿真分析,结果表明:采用所提出的版图优化方法在不影响位于标准单元内的MOS管的多晶硅线宽变化前提下,位于标准单元边界的MOS管的多晶硅线宽变化量从版图优化前的10.58nm降低至4.79nm.
- 韩晓霞韩雁
- 关键词：参数成品率光刻仿真工艺波动
