江西省科技厅重大招标项目(CB200901285)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
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- 多晶硅表面织构化新工艺的研究被引量：4
- 2011年
- 先后采用电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀多晶硅,用于制备高效率多晶硅太阳电池。首先将多晶硅片在HF和CH3CH2OH体积比为1∶2的溶液中进行电化学预腐蚀,具体研究不同电流密度对多晶硅绒面形貌的影响;然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀,去除多晶硅表面的疏松结构,得到高性能的多晶硅绒面。使用扫描电镜观察多晶硅表面腐蚀形貌。实验结果表明,当电流密度为30mA/cm2、腐蚀时间为300s时,多晶硅表面形成带孔洞的疏松结构;预腐蚀后多晶硅片在HF和H2O2体积比为4∶1的化学腐蚀溶液中,在室温超声腐蚀60s后,腐蚀坑平均孔径为2～4μm,坑深为1.5～2μm,能达到良好的光陷阱作用和减反射效果,可以提高多晶硅太阳电池的光电转换效率。
- 王应民程泽秀李清华江龙迎刘琪
- 关键词：多晶硅电化学腐蚀表面织构
