您的位置: 专家智库 > >

国家大学生创新性实验计划(091056122)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:颜骏吴为敬夏兴衡赖志成许志平更多>>
相关机构:华南理工大学更多>>
发文基金:国家大学生创新性实验计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氧化锌
  • 1篇显示器
  • 1篇显示器件
  • 1篇晶体管
  • 1篇静电放电
  • 1篇反向器
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇N型
  • 1篇TFT
  • 1篇ESD

机构

  • 2篇华南理工大学

作者

  • 2篇吴为敬
  • 2篇颜骏
  • 1篇夏兴衡
  • 1篇许志平
  • 1篇赖志成

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇天津工业大学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
全N型TFT ESD瞬态检测电路的设计被引量:2
2012年
为适应有源发光二极管显示(AMOLED)以及有源液晶显示(AMLCD)技术的发展,使用三级反向器反馈结构设计了一种全N型的TFT静电放电(ESD)瞬态检测电路,并采用对比仿真研究的方式分析该电路的性能优劣.结果显示:反馈器件一方面可以提高各功能器件的转换速度,以保证箝位器件能够及时打开与关闭,避免因长时间流过大电流而引起箝位器件失效;另一方面可以控制箝位器件栅极电压的保持时间,从而满足不同电路的需求;三级反向器可以稳定箝位器件的栅极电压波形,有利于电路功能的更好实现.该设计满足基本ESD检测电路的相关参数要求,并且提高了电路的总体性能.
颜骏吴为敬夏兴衡
氧化锌基TFT稳定性研究进展
2011年
总结了氧化锌基TFT稳定性的最新研究进展,分析了栅偏压、栅绝缘层和背沟道影响TFT稳定性,尤其是阈值电压稳定性的主导机制。结果表明,氧化锌基TFT的不稳定性主要取决于陷阱缺陷态对可动载流子的俘获作用,以及新陷阱态的产生。总结了提高氧化锌基TFT稳定性的三种途径:降低栅偏压;提高沟道/栅绝缘层界面质量,降低缺陷态密度;钝化保护背沟道。
吴为敬许志平颜骏赖志成
关键词:氧化锌薄膜晶体管显示器件
共1页<1>
聚类工具0