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国防基础科研计划(A1120060490)

作品数:1 被引量:1H指数:1
相关作者:李肇基王一鸣易坤李泽宏张波更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防基础科研计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇智能功率集成...
  • 1篇智能型
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率集成
  • 1篇功率集成电路
  • 1篇RESURF
  • 1篇DOUBLE
  • 1篇JFET

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇王小松
  • 1篇张波
  • 1篇李泽宏
  • 1篇易坤
  • 1篇王一鸣
  • 1篇李肇基

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现被引量:1
2007年
基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智能高压SENSFET器件.流片结果表明,器件宽度为75μm情况下,SENSFET的击穿电压为700V,线性区电阻为10kΩ.设计分析和实验结果吻合得很好.借助该SENSFET器件可以很好地实现智能功率集成电路中高压器件的信号检测和电路的自供电功能.
李泽宏王小松王一鸣易坤张波李肇基
关键词:智能功率集成电路DOUBLERESURFJFET
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