国家自然科学基金(10575007)
- 作品数：3 被引量：28H指数：2
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- Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析被引量：13
- 2006年
- 利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析.实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为χmin=1·54%,已达到完美晶体的结晶品质(χmin=1%—2%);GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为:aepi=0·31903nm,cepi=0·51837nm,基本达到GaN单晶的理论晶格常数(a0=0·3189nm,c0=0·5186nm);通过计算GaN外延膜及各缓冲层的水平应变、垂直应变和四方畸变沿深度的变化,可得出弹性应变由衬底及各缓冲层向表面逐渐释放,并由拉应变转为压应变,最后在GaN外延层应变基本达到完全释放(eT=0).
- 丁志博姚淑德王坤程凯
- 关键词：GAN高分辨X射线衍射
- 氧气氛中p-GaN/Ni/Au电极在相同温度不同合金时间下的欧姆接触形成机制和扩散行为被引量：1
- 2008年
- 用卢瑟福背散射/沟道技术研究了p-GaN上的Ni/Au电极在氧气氛下相同合金温度(500℃)不同合金时间后的微结构演化,以揭示欧姆接触的形成机制.利用背散射随机谱和RUMP模拟程序研究了电极金属之间的互扩散,用沟道谱探测了电极金属中的氧分布.结合不同合金时间下比接触电阻ρc的变化,发现随着合金时间的延长比接触电阻持续降低,在合金时间60s后降低的速度减慢,Au扩散到GaN的表面,在p-GaN上形成外延结构,O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用,表明合金后Ni/Au双层电极中层反转效应已经发生,这种结构变化是形成欧姆接触的有效机制.在相同合金温度(500℃)不同合金时间中,氧气氛中的p-GaN/Ni/Au电极在合金时间为300s时形成的欧姆接触效果最佳.
- 丁志博王坤陈田祥陈迪姚淑德
- 关键词：GAN欧姆接触
- InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算被引量：16
- 2007年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195nm,cepi=0.5198nm,In原子的替位率为99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026,并与样品生长时设定的预期目标相符合,验证了两种实验方法的准确性;而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大,说明用PL测试In组分的方法是不适宜的.
- 丁志博王琦王坤王欢陈田祥张国义姚淑德
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱高分辨X射线衍射光致发光
