西安应用材料创新基金(XA-AM-200808)
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
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- Al2O3-MgO复合掺杂钛酸锶钡陶瓷的显微结构和介电性能研究
- 以BaSrTiO为基体材料,采用传统电子陶瓷制备工艺,研究复合掺杂低介电常数氧化物AlO和MgO对BSTO材料显微组织结构和介电性能的影响规律。结果表明,BSTO/MgO/AlO(BMA)陶瓷可在1350～1450℃烧结...
- 胡国辛高峰曹宵刘亮亮田长生
- 关键词：钛酸锶钡显微结构介电性能
- 文献传递
- CuO掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的结构与性能被引量：3
- 2009年
- 采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)基陶瓷。结果表明,w(CuO)=0.5%～4.0%的BSTO基陶瓷可在1200℃烧结成瓷,且不会引入杂相。介电性能测试表明,在室温低频下,随CuO掺杂量的增加,BSTO陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低;在微波频段下,BSTO基陶瓷的介电常数和介电损耗均随CuO掺杂量的增加而增大。可调性测试表明,在1kV/mm的直流偏压下,各BSTO基陶瓷掺杂样的可调性均大于10%,其中,试样w(CuO)=1%的可调性达到13.2%。
- 李真胡国辛吴昌英王通韦高高峰
- 关键词：钛酸锶钡介电性能
- Al_2O_3包覆Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3复合粉体制备及表征被引量：2
- 2010年
- 采用液相包覆法制备了Al2O3包覆的Ba0.6Sr0.4TiO3复合粉体。通过SEM,TEM,TG-DSC,XRD,XPS和ζ电位测试对包覆前后粉体的表面形貌、组织结构、等电点进行了测试和分析。结果表明:Al2O3以无定形结构成功的包覆在Ba0.6Sr0.4TiO3粉体表面,形成了Ba-O-Al、Sr-O-Al和Ti-O-Al键,Ba0.6Sr0.4TiO3颗粒的等电点由包覆前的pH=3.2增大至pH=8。
- 王通高峰胡国辛刘亮亮李博田长生
- 关键词：钛酸锶钡表面包覆复合粉体
- Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-ZnNb_2O_6复相微波介质陶瓷的结构与介电性能研究被引量：2
- 2009年
- 以Ba0.6Sr0.4TiO3为基体材料,采用传统陶瓷制备工艺,制备了Ba0.6Sr0.4TiO3-ZnNb2O6(简称BSTZ)复相微波介质陶瓷。结果表明,BSTZ复相陶瓷可在1200℃烧结成瓷,烧结温度明显低于Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的烧结温度,并反应生成新相BaNb3.6O10。在室温低频下,随ZnNb2O6含量的增加,BSTZ复相陶瓷的介电常数下降;在1.6kV/mm的直流偏压下,各BSTZ复相陶瓷的可调性随ZnNb2O6添加量增加而减小。
- 王通高峰胡国辛李真田长生
- 关键词：钛酸锶钡介电性能
- 不同工序添加MgO的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷及其性能
- 2009年
- 通过在不同工序添加MgO,研究添加方式对Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)陶瓷微观结构与介电性能的影响。结果表明:在预合成BSTO后加入MgO,样品中有明显的Ba3(VO4)2针状晶粒生成,且随MgO添加量的增多而减少;在预合成BSTO前加入MgO的样品中,该新相极少。MgO添加量相同时,在预合成BSTO前加入,样品的介电常数较低;在预合成BSTO后加入,样品的高频损耗较小,可调性较高,当添加质量分数为15%～25%的MgO,样品在103V/mm电场强度下的可调性均高于20%。
- 李真吴昌英韦高高峰
- 关键词：无机非金属材料钛酸锶钡MGO介电性能
- PbZrO_3对0.1BiYbO_3-0.9PbTiO_3压电陶瓷相结构和电性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用传统固相反应法合成(1-x)(0.1BiYbO3-0.9PbTiO3)-xPbZrO3(BYPT-PZ)压电陶瓷,研究了PbZrO3含量对0.1BiYbO3-0.9PbTiO3(BYPT)压电陶瓷的相结构及电性能的影响规律。结果表明,PbZrO3的添加可有效抑制焦绿石相Yb2Ti2O7的生成,BYPT-PZ陶瓷由钙钛矿相和ZrO2相组成,随PbZrO3含量的增加,介电常数rε、压电常数d33、机电耦合系数kp不断增加,居里温度TC、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ不断减小。当x(PbZrO3)=0.45时材料性能最佳,d33=223 pC/N,TC=390℃,rε=1 265,kp=0.42,剩余极化强度Pr=20μC/cm2,矫顽场强Ec=2.4 kV/mm。
- 杨乐高峰邓贞奇田长生
- 关键词：压电陶瓷相结构居里温度
- Bi_4Ti_3O_(12)对0.1BiYbO_3-0.9PbTiO_3压电陶瓷结构和性能的影响
- 2010年
- 以片状Bi_4Ti_3O_(12)粉体为原材料制备了0.1BiYbO_3-0.9PbTiO_3(BYPT)高居里温度压电陶瓷,研究了Bi_4Ti_3O_(12)粉体用量对BYPT陶瓷显微组织结构和压电性能的影响。结果表明,BYPT陶瓷的最佳烧结温度为1 140℃,陶瓷由多相组成。BYPT陶瓷的居里温度均大于520℃,且随着Bi_4Ti_3O_(12)用量的增加,材料由正常铁电体向弛豫铁电体转变,陶瓷的居里温度、压电常数及介电常数先升高后降低,介电损耗则随之而减小,BYPT_2陶瓷的居里温度和压电常数最高。
- 高峰刘红莉张波杨乐田长生
- 关键词：压电陶瓷居里温度显微组织结构介电性能
- Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/ZnNb_2O_6复相陶瓷的显微结构和介电性能
- 2010年
- 采用传统电子陶瓷工艺制备了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/ZnNb_2O_6(BSTZ)复相陶瓷,研究了ZnNb_2O_6含量对BSTZ陶瓷结构和介电性能的影响规律。结果表明,BSTZ复相陶瓷可在较低温度下烧结成瓷;陶瓷中除了Ba_(0.6)Sr_(0.4)Ti_3和ZnNb_2O_6两种主晶相,还有新相BaNb_(3.6)O_(10)生成;陶瓷的介电常数和介电损耗均随ZnNb_2O_6含的增加而降低;当x(ZnNb_2O_6)=0.6(摩尔比)时,复相陶瓷在微波下的介电常数为74,介电损耗为0.043,可调性可达10.54%(1.0 kV/mm)。
- 胡国辛高峰王通李真田长生
- 关键词：钛酸锶钡复相陶瓷介电性能微波性能
