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中国航空科学基金(20122469)

作品数：3 被引量：0H指数：0
相关作者：孙伟锋刘斯扬张春伟马德军王锦春更多>>
相关机构：东南大学中国空空导弹研究院更多>>
发文基金：中国航空科学基金江苏省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇SPICE模...
  • 1篇电路
  • 1篇电容
  • 1篇读出电路
  • 1篇应力
  • 1篇载流子
  • 1篇栅压
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子退化
  • 1篇准饱和效应
  • 1篇焦平面
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇红外
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇红外焦平面读...
  • 1篇PMOS
  • 1篇SPICE
  • 1篇STACK
  • 1篇V3
  • 1篇VDMOS

机构

  • 3篇东南大学
  • 1篇中国空空导弹...

作者

  • 3篇孙伟锋
  • 2篇张春伟
  • 2篇刘斯扬
  • 1篇朱荣霞
  • 1篇于朝辉
  • 1篇叶伟
  • 1篇黄栋
  • 1篇王锦春
  • 1篇马德军

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇航空兵器

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
功率VDMOS器件的新型SPICE模型
2013年
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.
朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟
关键词：VDMOSSPICE模型准饱和效应
不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究
2016年
本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但在Vgs=90%*Vds时,因为没有载流子注入栅氧层,使得退化趋势出现转折.此外,研究还发现,界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响,致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化,然而,正反向Idlin退化却相同,这是因为Idlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态.
刘斯扬于朝辉张春伟孙伟锋苏巍张爱军刘玉伟吴世利何骁伟
关键词：热载流子
基于红外焦平面读出电路应用的多层stack电容设计及SPICE模型研究
2014年
基于0.5μm CMOS工艺设计并制备了一种应用于红外焦平面读出电路的多层堆叠(stack)电容结构,测试结果表明,相比单一形式电容,stack电容的单位面积值增大两倍以上,因而能够有效地提升红外焦平面读出电路的电荷存储能力。此外,本文还为设计的多层stack电容建立了一套描述其电学特性的SPICE模型,模型均方根误差在2%以内,因此可以准确描述stack电容的电学特性,满足了红外焦平面读出电路的仿真设计要求。
叶伟戴佼容刘斯扬孙伟锋
关键词：红外焦平面读出电路SPICE模型
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