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教育部重点实验室基金(2003-16)

作品数：1 被引量：17H指数：1
相关作者：孙国忠刘琪何青李凤岩敖建平更多>>
相关机构：南昌航空工业学院南开大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划教育部重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电池
  • 1篇缓冲层
  • 1篇CBD
  • 1篇CDS薄膜
  • 1篇CIGS
  • 1篇CDS

机构

  • 1篇南开大学
  • 1篇南昌航空工业...

作者

  • 1篇孙云
  • 1篇刘芳芳
  • 1篇敖建平
  • 1篇李凤岩
  • 1篇何青
  • 1篇刘琪
  • 1篇孙国忠

传媒

  • 1篇太阳能学报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能被引量：17
2006年
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系，表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC（NH2）2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格在乙酸胺浓度较小时，为六方晶和立方晶混合结构；乙酸胺浓度较大时，为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CAS制备的CIGS太阳电池，光电转换效率最大可达12．1％，3．5×3．6cm^3小面积组件为6．6％。立方相CAS制备的最佳电池效率达到12．17％。两种晶相结构的CAS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。
敖建平孙云刘琪何青孙国忠刘芳芳李凤岩
关键词：CBDCDS薄膜
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