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国家重点实验室开放基金(9140C030604070C0304)

作品数：3 被引量：16H指数：2
相关作者：师谦恩云飞何玉娟罗宏伟刘远更多>>
相关机构：电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室华南理工大学更多>>
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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇总剂量
  • 3篇总剂量效应
  • 2篇射线
  • 2篇总剂量辐射
  • 2篇X射线
  • 1篇压法
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置条件
  • 1篇总剂量辐射效...
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇FET
  • 1篇新结构

机构

  • 3篇电子元器件可...
  • 2篇华南理工大学

作者

  • 3篇罗宏伟
  • 3篇何玉娟
  • 3篇恩云飞
  • 3篇师谦
  • 2篇李斌
  • 2篇章晓文
  • 2篇刘远
  • 1篇刘洁

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇核技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2
2008年
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。
何玉娟师谦罗宏伟恩云飞章晓文李斌刘远
SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构被引量：9
2008年
SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向。并对FLEXFET和G4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性。
何玉娟刘洁恩云飞罗宏伟师谦
关键词：SOI总剂量效应
偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响被引量：5
2008年
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件。
何玉娟恩云飞师谦罗宏伟章晓文李斌刘远
关键词：X射线总剂量辐射效应
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