广东省科技攻关计划(2003Z3-D2011)
- 作品数：4 被引量：23H指数：2
- 相关作者：叶勤吴奎胡毅刘亚丽唐振方更多>>
- 相关机构：暨南大学郧阳师范高等专科学校云南大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 磁控溅射制备纳米TiO_2半导体薄膜的工艺研究与晶型分析被引量：2
- 2008年
- 通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜。采用X射线衍射仪、Ranman光谱仪和原子力显微镜研究退火温度对薄膜晶体结构和表面形貌的影响;还探讨了磁控溅射氧分压对薄膜性能的影响。结果表明:磁控溅射制备的薄膜在不同温度下退火,发现300℃退火薄膜没有结晶,薄膜表面呈圆形离散的颗粒状;400℃退火出现锐钛矿结构,是连续的致密均匀薄膜;500℃退火后薄膜锐钛矿结构更完善,(101)方向开始优先生长,空隙率变大,且锐钛矿结构更完整。随着退火温度的升高晶粒长大拉曼光谱出现红移,拉曼光谱所反应的锐钛矿信息增强,500℃退火时197cm-1出现了Eg振动模式。和标准的单晶TiO2体材料相比,拉曼峰位置都略有红移是纳米量子尺寸效应造成的。氩氧比分别为9∶1、7∶3和6∶4溅射制备的薄膜通过400℃退火后的XRD衍射谱没有明显的区别,但拉曼光谱显示氩氧比为7∶3时结晶要完善些。
- 刘亚丽吴奎胡毅叶勤
- 关键词：射频反应磁控溅射纳米二氧化钛薄膜锐钛矿
- 掺氮可见光响应TiO_(2-x)N_x光催化薄膜的制备及性能初探被引量：4
- 2007年
- 采用反应磁控溅射法在玻璃基片上制备N掺杂TiO2-xNx薄膜和纯TiO2薄膜,并且对两种薄膜样品分别进行了300、400和500℃的退火处理.采用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光光度计(UV-V is)对经过退火处理的样品进行了表征.结果表明:成功制备了N掺杂TiO2-xNx薄膜,部分N进入了TiO2薄膜晶格,并且以N-O键形式存在;N掺杂TiO2-xNx薄膜和纯TiO2薄膜相对比,晶型和表面形貌没有什么太大的区别,但通过紫外-可见光吸收谱图可以发现经过400℃退火处理的N掺杂TiO2-xNx薄膜吸收带边从纯TiO2薄膜的400 nm红移到455 nm.
- 阮广福叶勤
- 关键词：TIO2薄膜氮掺杂红移
- 射频磁控溅射法制备纳米TiO_2薄膜的拉曼光谱分析被引量：2
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜,并应用显微拉曼光谱和电子显微镜对薄膜进行微区光分析.通过拉曼光谱研究,一方面有力地揭示出TiO2薄膜的晶体结构,另一方面对薄膜的生长方式提供了线索.薄膜聚集点和平常点上有统一的相结构,电子显微镜观察结果显示薄膜致密均匀.
- 吴奎刘亚丽胡毅
- 关键词：TIO2薄膜磁控溅射拉曼光谱
- 碳掺杂锐钛矿结构二氧化钛(TiO_(2-x)C_x)可见光光催化薄膜的制备及表征被引量：15
- 2006年
- 采用气体反应磁控溅射的方法在350℃制备了碳掺杂TiO2薄膜,并对薄膜的结构做了表征与分析。XRD结果显示碳掺杂薄膜为锐钛矿结构,有c轴择优生长趋向,较纯二氧化钛薄膜晶胞c轴有伸长,晶粒膨胀;光响应波长由纯TiO2薄膜的385nm拓宽到435nm的可见光波段;从薄膜深层的X射线光电子能谱发现Ti-C和C-C振动,可知部分掺杂碳是以化合物的状态存在TiO2-xCx薄膜中;薄膜的电镜结果显示薄膜粒晶大小均匀且为纳米量级,同时薄膜内部呈柱状晶结构。
- 叶勤吴奎唐振方
- 关键词：TIO2可见光
