教育部留学回国人员科研启动基金(LXKQ0801)
- 作品数：4 被引量：28H指数：2
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- 基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响被引量：11
- 2009年
- 采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小。
- 黄红梁程树英黄碧华
- 关键词：ZNS薄膜电子束蒸发基片温度
- 恒电流电沉积ZnO薄膜及其光电性能研究
- 2010年
- 采用恒电流电沉积的方法,在ITO导电玻璃上制备ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜等手段,对制备出的ZnO薄膜进行表征,并研究了溶液的pH值对薄膜的光学性质的影响.结果表明,电流密度为0.175mA·cm-2、pH为4.7时,制备出的ZnO薄膜具有纤锌矿结构,薄膜表面较均匀、致密,具有很好的附着力,在可见和近红外波段透过率约为80%,禁带宽度为3.37eV.光电流测试表明薄膜的导电类型为n型.
- 郭幸语程树英
- 关键词：电沉积ZNO光电性能
- 硫化温度对Sn_xS_y薄膜光电性能的影响
- 2009年
- 用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小;但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型。当硫化温度为240℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46eV,电阻率为25.54Ω·cm。
- 赖松林程树英彭少朋
- 关键词：硫化温度光学性能电学性能
- 基于遗传算法和扰动观察法的MPPT算法被引量：17
- 2009年
- 作为一种绿色能源,光伏并网发电在我国发展迅猛。在此针对光伏电池的非线性特性,介绍了最大功率点跟踪的原理,并提出了基于遗传算法和扰动观察法的MPPT算法。通过使用Matlab对算法进行了仿真研究,并给出了仿真结果。实验结果表明,该算法具有良好的搜索速度,能使系统稳定工作在最大功率点,并能实现恶劣条件下的最大功率点跟踪。
- 何龙程树英
- 关键词：光伏系统最大功率点追踪遗传算法扰动观察法
