国家自然科学基金(69876008)
- 作品数：13 被引量：22H指数：3
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- 一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现被引量：1
- 2001年
- 文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 4 C0 4在接口、电学特性上完全兼容 ,可以在 2 4 C0 4的电路应用中直接代替之。
- 汤祥云王岸如程旭汤庭鳌
- 关键词：铁电电容VLSI存储器
- 用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究
- 2000年
- 新型不挥发非破坏性读出铁电存储器金属 /铁电 /半导体器件结构中 ,存在着铁电薄膜与半导体衬底之间相互扩散、离子陷阱密度高、铁电薄膜难于直接淀积在硅衬底上、电荷注入等问题 ,因此在铁电薄膜与半导体之间增加一层合适的介质材料作为阻挡层是制备不挥发非破坏性读出铁电存储器的关键。文中研究了运用 SOL- GEL方法制备 Zr O2 介质层的方法 ,并且对制备的介质层的成份、结构、电特性进行了分析 ,为研制 MFIS作了准备。
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝
- 关键词：铁电薄膜半导体材料
- MFIS结构的C-V特性被引量：3
- 2000年
- 研究了运用 SOL- GEL方法制备的 Au/PZT(铅锆钛 ) /Zr O2 /Si结构电容即 MFIS(Met-al/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法 ,并对其进行了 SEM、C- V特性测试及Zr O2 介质层介电常数分析 .研究了 C- V存储窗口 (Memory Window)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系 ,得出 MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为 7— 1 0左右 ,在外加电压- 5V- +5V时存储窗口可达 2 .52 V左右 .
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝钟琪汤祥云
- 关键词：MFISC-V特性铁电薄膜电滞回线
- 用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究被引量：1
- 2003年
- 分析了 MFIS FET的工作机理以及影响 MFIS电容的存储窗口特性的因素 ,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性 ,制备了 Au/Cr/PZT/Zr O2 /Si的 MFIS结构并研究了其存储窗口特性 ,存储窗口随 Zr O2 的厚度变化呈现一个极大值 ,甚至会出现 C-V曲线方向的变化 ,而 PZT薄膜的厚度增大会导致窗口增大 ,这是由于界面效应以及在铁电层和介质阻挡层上电压分配关系的不同而造成的 ,这一结果与前面的分析很好地吻合。当 Zr O2 和 PZT的厚度分别为 3 0 nm和 2 5 0 nm、扫描电压从 -5 V到 +5 V变化时 ,存储窗口大小为 2 .5 V,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压的差值的比为 0 .8。
- 林殷茵汤庭鳌
- 关键词：铁电存储器场效应晶体管
- LNO薄膜电极的制备及其特性研究被引量：6
- 2003年
- 采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌钟宇黄维宁姜国宝王晓光
- 关键词：铁电体铁电存储器铁电电容
- 铁电电容的电极结构
- 2000年
- 作为铁电电容的电极材料 ,铂是使用最为广泛的金属。在 PZT薄膜的上下两层分别用离子束溅射淀积厚度为 50 nm和 10 0 nm的 Pt。在铂层上按常规工艺需蒸发 1～ 2 μm的 Al作为布线金属。为避免在热处理过程中的固相反应 ,Al/ Pt之间还需嵌入阻挡金属。观察了 Si,Co,Ni,Ti和 Ti/ W合金膜的阻挡特性。实验证明一定组分的 Ti/ W合金膜能有效地抑制 Al/ Pt固相反应 ,获得较为理想的接触特性。
- 姜国宝黄维宁汤庭鳌
- 关键词：电极固相反应
- 用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究被引量：1
- 2000年
- 制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2薄膜的方法,对不同条件下SBT和ZrO2的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀SBT及ZrO2的优化工艺条件。
- 颜雷黄维宁姜国宝汤庭鳌程旭钟琪姚海平汤祥云
- 关键词：铁电存储器反应离子刻蚀铁电薄膜
- 新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现
- 2002年
- 提出了一种利用与 CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术 .通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试 。
- 汤庭鳌陈登元汤祥云程君侠虞惠华
- 关键词：逻辑电路挥发性铁电薄膜锁存器
- 铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备被引量：2
- 2003年
- 在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ,先将它加工成电容图形 ,再高温退火成为 PZT铁电薄膜。最后完成铁电电容 Pt上电极。与传统工艺相比 ,改进后的工艺能保持 PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面。测试结果表明 ,工艺条件的变动不会影响 PZT铁电薄膜的成膜和结构 ,从而可得到性能优良的铁电电容。
- 黄维宁姜国宝林殷茵汤庭鳌
- 关键词：铁电存储器锆钛酸铅铁电电容
- 虚拟仪器在存储元件记忆特性测试中的应用
- 2001年
- 论述了虚拟仪器在存储元件测量中的应用；介绍了采用虚拟仪器测试存储元件记忆特性的方法，并指出虚拟仪器的功能在基本硬件确定之后，可通过软件编程来实现，因而具有很大的灵活性，在对程序稍作修改后能适用于不同存储器件的测试。
- 俞承芳虞惠华汤庭鳌
- 关键词：存储元件虚拟仪器控制面板程序设计
