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教育部重点实验室基金(514330504DZ1502)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：章晓文赵文彬于宗光更多>>
相关机构：信息产业部电子第五研究所西安电子科技大学更多>>
发文基金：教育部重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇载流子
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇模型参数
  • 1篇厚度
  • 1篇MOS管
  • 1篇N

机构

  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 1篇于宗光
  • 1篇赵文彬
  • 1篇章晓文

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
NMOS管热载流子衰退效应评价模型及寿命预测方法研究
2008年
热载流子是器件可靠性研究的热点之一。特别对于亚微米器件,热载流子失效是器件失效的一个最主要方面。通过对这种失效机理及其失效模型的研究,为设计和工艺提供帮助,从而有效降低由热载流子引起的电路失效,提高电路可靠性。本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度(例如:Tox分别为150、200、250)的NMOSFET进行加速应力实验,提取寿命模型的相关参数,估算这些器件在正常工作条件下的寿命值,对亚微米工艺器件寿命进行快速评价。
赵文彬陈慧蓉章晓文周川淼于宗光
关键词：热载流子效应模型参数
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共1页<1>
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