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无定型SiO_2对纳米ZnO缺陷发光的辅助增强效应研究被引量：3: 2012年; 利用正硅酸乙酯水解后的无定型SiO2网络结构,合成了不同尺度的纳米ZnO。X射线衍射(XRD)谱显示,当正硅酸乙酯的量从0ml增加到5ml,ZnO的粒径从14.6nm减小到1.9nm;光致发光(PL)光谱显示,发射峰位从560nm蓝移到510nm,发射强度明显增强。利用紫外-可见(UV-VIS)吸收光谱、PL光谱以及能级结构分析,我们认为,纳米ZnO随尺度下降所产生的发光增强来源于无定形SiO2所抑制的ZnO表面非辐射跃迁过程以及二者之间的再吸收过程;此外,纳米ZnO尺度的下降,使得其表面的光生电子和晶格内部的O空位(Vo)之间的距离减小,提高了辐射跃迁的几率也是获得高荧光效率的可能原因。; 牛喜平徐建萍张晓松程晓曼罗程远李开祥李岚; 关键词：纳米ZNO

ZnS:Eu/ZnS核/壳结构量子点自发辐射性能研究被引量：3: 2011年; 利用水溶性前驱体材料在水性介质中制备了ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS核/壳结构量子点,并利用XRD、TEM和PL对ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS核/壳结构量子点的结构和发光性能进行了研究。ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS量子点XRD谱显示:ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS量子点具有β-ZnS结构,且随着ZnS壳层增加,ZnS:Eu/ZnS量子点的粒径增大。在波长395 nm紫外光激发下,ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS量子点在波长592 nm和615 nm存在两个自发辐射,其源于Eu3+离子的5D0→7F1和5D0→7F2的跃迁。ZnS:Eu/ZnS核/壳结构量子点的自发辐射增强,且发射峰并未发生红移或蓝移,主要由于包覆ZnS层后的表面缺陷得到修饰,阻断了某些与量子点表面缺陷相关的非辐射跃迁通道,增加了发光中心浓度,减少了非辐射跃迁几率。; 张晓松李美成李岚黄青松; 关键词：量子点光致发光

基于ZnS：Mn^(2＋)量子点电致发光器件的制备被引量：5: 2010年; 以多磷酸钠为分散剂,采用水相共沉淀法制备了Mn2+掺杂的ZnS量子点,通过X射线衍射(XRD)谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像、紫外-可见吸收光谱和光致发光(PL)谱等表征了ZnS:Mn2+量子点的结构、形貌和发光性能;通过对比在空气中干燥前后样品的PL谱,进一步证明了441 nm的峰是属于与硫空位相关的发射。同时,将处理后的样品分散到氯仿中,制备了单层的电致发光(EL)器件,在12 V直流电压的驱动下,在597 nm的位置观测到了Mn2+相关的特征发射。; 黄青松张晓松徐建萍董冬青宣荣卫李岚; 关键词：量子点

Si^(4＋)掺杂对BaZr(BO_3)_2：Eu荧光粉能量传递的影响被引量：3: 2010年; 采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。; 张忠朋李光旻张晓松徐生艳马玢王兰芳李岚

核/壳结构ZnS:Mn/ZnS量子点光发射增强研究被引量：5: 2011年; 利用水溶性前驱体材料在水性介质中制备了ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构量子点(QDs,quantumdots),并用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)对ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构QDs的结构和发光性能进行研究。ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS QDs XRD谱与标准谱吻合,根据Debye-Scherrer公式,ZnS:Mn/ZnS QDs的粒径大于ZnS:Mn QDs的粒径,说明随着ZnS壳层增加,QDs不断生长。在波长325 nm紫外光激发下,ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS QDs在波长586 nm处均有发射峰,ZnS:Mn/ZnS核/壳结构QDs在波长586 nm处的光发射大幅度增强,且发射峰并未发生红移或蓝移,主要由于包覆ZnS壳层后Mn离子被束缚到ZnS:Mn/ZnS核/壳结构QDs的核内,表面缺陷得到修饰,减少了表面态缺陷能级,阻断了某些无辐射跃迁的通道,增强了ZnS:Mn/ZnS核/壳结构QDs的荧光发射,并构建了发光模型。同时,利用巯基乙酸(TAG)修饰ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS QDs,改善了其稳定性和水溶性,但是被TAG修饰后ZnS:Mn QDs发光强度大幅下降,ZnS:Mn/ZnSQDs发光强度下降较小。; 张晓松李岚黄青松张高峰徐建萍宣荣卫魏凤巍; 关键词：ZNS:MN

基于ZnS／SiO2量子点的EL器件及宽谱发射被引量：3: 2012年; 将ZnS/SiO2量子点与PVP在甲醇溶液中充分混合作为活性层材料,通过匀胶方法制备了ITO//ZnS/SiO2∶PVP//Al结构的电致发光(EL)薄膜器件。器件的EL光谱由510～560nm波段的绿光发射和相对较弱的蓝紫光(400nm左右)发射组成,通过对发光光谱的分析发现,上述两个区域的发射均来自ZnS的缺陷能级。其中,绿色发光峰来源于较低能态的缺陷能级;而高能区域的蓝色发光则是由于高能态的缺陷能级俘获电子的几率增大,在这过程中,PVP形成的能级阶梯有效增加了高能态缺陷能级俘获电子的几率,提升了高能波段的发光效率,相应地,器件的色坐标也随之从(0.37,0.42)变化到(0.30,0.34),趋于白光发射。; 罗程远张晓松徐建萍吴燕宇牛喜平李开祥葛林李岚

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天津市高等学校科技发展基金计划项目(20071207)