山东省科技发展计划项目(2011YD02088)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- Ga_3S_(2^-)和Ga_4S_(3^-)团簇结构及性质的密度泛函理论研究
- 2013年
- 采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法和BP86方法,对Ga_3S_2^-团簇和Ga_4S_3^-团簇进行结构优化,并计算和分析了最稳定结构的成键性质及振动特性.计算结果表明,Ga_3S_2^-团簇和Ga_4S_3^-团簇的最稳定结构是由"Ga-S-Ga"结构单元和处于端位的"Ga-S"结构单元组成的.键级分析表明上述两结构单元都具有较强的稳定性.此外,通过分析红外振动光谱数据也发现在"Ga-S-Ga"单元和"Ga-S"单元处有红外强峰出现.
- 董晨初李大枝张士国尚玲玲
- 关键词：密度泛函理论
- Ga3O2-和Ga4O3-的结构及稳定性的研究被引量：1
- 2012年
- 采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法和BP86方法,O原子基于6-311+G(d,p)基组,Ga原子基于Stuttgart基组,对Ga_3O_2^-/0与Ga_4O_3^-/0团簇的各种可能构型进行了几何优化,预测了各团簇的最稳定结构,并研究了Ga_3O_2^-和Ga_4O_3^-最稳定结构的成键特性、振动特性和稳定性。对比B3LYP和BP86计算结果发现得到的异构体的结构和能量顺序相同,且阴离子的基态构型与中性分子的构型相接近,都是平面C_(2v)型,都存在由2个Ga原子和一个O原子形成的三中心二电子(3c-2e)桥键。两结构中处于端位的"Ga-O"键的Wiberg键级数值较大,分别为0.50、0.55;振动频率分别为713.92、832.76cm-1,在红外谱图上皆对应一明显的强振动峰,表明该"Ga-O"结构单元成键稳定,是决定团簇结构稳定的重要因素。计算得到是Ga_3O_2^-和Ga_4O_3^-基态结构的LUMO与HOMO的能量之差(分别为2.75、2.84eV),以及电子绝热剥离能(ADE)和电子垂直剥离能(VDE),都表明两基态结构具有较好的热力学稳定性。
- 董晨初李大枝张士国刘婷婷
- 关键词：稳定性密度泛函理论
