西安应用材料创新基金(XA-AM-200618)
- 作品数：3 被引量：11H指数：3
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- 硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究被引量：3
- 2008年
- 掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.
- 蔡长龙马睿刘卫国
- 关键词：ICP刻蚀刻蚀速率选择比
- 硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究被引量：4
- 2009年
- 基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证。研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,SiO2,MgO以及Al等材料的刻蚀速率,同时获得了在该等离子体中Si相对SiO2,MgO以及Al的选择比。通过比较研究,得到了硅深刻蚀中最佳的掩蔽层材料及刻蚀工艺参数。
- 蔡长龙马睿刘卫国刘欢周顺
- 关键词：等离子体刻蚀刻蚀速率选择比
- Si材刻蚀速率的工艺研究被引量：4
- 2008年
- 在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响,包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等。通过研究,获得了Si材刻蚀效果与各种工艺参数之间的变化关系,得到了快速刻蚀Si材的较好的工艺参数。
- 蔡长龙马睿周顺刘欢刘卫国
- 关键词：硅等离子体刻蚀刻蚀速率工艺参数
