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西安应用材料创新基金(XA-AM-200606)

作品数：2 被引量：2H指数：1
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇寄生参数
  • 1篇寄生参数提取
  • 1篇建库
  • 1篇仿真
  • 1篇PDSOI
  • 1篇SOI
  • 1篇CMOS
  • 1篇H型

机构

  • 2篇西安微电子技...

作者

  • 2篇刘佑宝
  • 2篇吴龙胜
  • 2篇赵德益
  • 1篇于洪波
  • 1篇唐威
  • 1篇苏强
  • 1篇晁长征

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
CMOS标准单元后仿真及其时序信息的建立被引量：2
2009年
时序信息是标准单元特征化参数的重要组成部分.针对全定制标准单元的版图,在进行LVS验证之后,采用寄生参数提取工具对其进行晶体管级的寄生参数提取,得到单元内部的详细寄生电容和电阻值.提出了一种建立标准单元时序信息的方法,并以一个具体标准单元为例对其进行了版图后仿真,结果表明该法行之有效.
晁长征吴龙胜刘佑宝唐威赵德益苏强
关键词：寄生参数提取
H型栅/源漏非对称结构CMOS在PDSOI标准单元建库中的应用
2009年
基于0.35μmSOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究。讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片。
赵德益吴龙胜于洪波刘佑宝
关键词：SOICMOS
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