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西安应用材料创新基金(XA-AM-200607)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：张玉明张义门廖宇龙郭辉程萍更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子自旋
  • 1篇电子自旋共振
  • 1篇谱特性
  • 1篇自旋
  • 1篇晶体
  • 1篇本征
  • 1篇本征缺陷
  • 1篇ESR

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇程萍
  • 1篇郭辉
  • 1篇廖宇龙
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性被引量：2
2009年
利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.
程萍张玉明郭辉张义门廖宇龙
关键词：电子自旋共振本征缺陷
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共1页<1>
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