福建省自然科学基金(2009J05151)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
- 2011年
- 利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。
- 郑云哲林冰金张明昆蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：光电子学温度特性光电特性
- 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
- 2011年
- 应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3)。模拟分析了该APD的反向Ⅳ特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子10~5;在0 V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×10~3;其归一化探测率最大可达1.5×10^(16)cmHz^(1/2)W^(-1)。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。
- 钟林瑛洪荣墩林伯金蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：光电子学APD光谱响应探测率
- 4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究
- 2010年
- 基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式。对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H-SiC光电探测器结构设计的一个重要依据。
- 陈厦平朱会丽
- 关键词：4H-SIC
- 4H-SiC表面热氧化生长SiO_x薄膜特性的研究被引量：2
- 2010年
- 采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiO_x)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiO_x薄膜和SiO_x/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiO_x层中各主要元素随不同深度的组分变化情况,从而获得该热氧化SiO_x薄膜的化学组成和化学态结构,并更好地了解其构成情况以及SiO_x/4H-SiC的界面性质。
- 陈厦平朱会丽蔡加法
- 关键词：SIOX薄膜热氧化X射线光电子能谱
