国家自然科学基金(10276029)
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
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- 相关机构：四川大学中国工程物理研究院电子科技大学更多>>
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- Si(Li)探测器低能区的效率刻度被引量：2
- 2006年
- 通过测量19 keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱,在低能区(>1 keV)对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐射能谱由Monte-Carlo程序PENELOPE计算,并用241Am标准放射源确定出效率刻度曲线的绝对值。采用本工作的刻度方法确定的效率刻度曲线误差主要来源于用标准放射源绝对化的误差,约为5%。将所得初步实验结果与理论计算值进行了比较,并采用最小二乘法对探测器各厚度参数进行了拟合,除Au接触层厚度外,拟合的各厚度值与探测器生产商提供的数据较为吻合。
- 安竹刘慢天吴英段艳敏
- 关键词：MONTE-CARLO方法
- 原子内壳层电离截面研究中薄靶厚度的卢瑟福背散射分析被引量：4
- 2004年
- 作者使用241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法,对四川大学原子核科学技术研究所的2.5MeV静电加速器进行了能量刻度,并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列Al衬底金属薄靶的厚度,所测结果与称重法进行了比较.作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中,取得了满意的结果.
- 段艳敏吴英唐昶环刘东剑丁庆平刘慢天安竹
- 关键词：能量刻度电子碰撞
- 蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用被引量：1
- 2006年
- 在Monte Carlo方法模拟keV电子碰撞薄膜/厚衬底靶过程中,输入材料数据中采用的内壳层电离截面数据不同,得到的反映膜厚及衬底对电离截面测量结果影响的修正因子值也有差别。讨论了Monte Carlo模拟得到的修正因子值受输入材料数据中内壳层电离截面影响的程度,并完成了入射keV电子在法拉第筒中逃逸率的估算工作。
- 吴英安竹
- 关键词：MONTECARLO模拟修正因子
- 电子原子碰撞K壳层电离截面研究(英文)被引量：1
- 2003年
- 近年来,研究组发展了一套利用厚衬底薄靶测量电子原子碰撞内壳层电离截面的方法.该方法具有避免制作自支撑薄靶困难的优点.最近,又采取了一些措施来提高该方法测量数据的精度.首先评述了近年来该领域的一些研究进展,并通过测量Cr元素在小于26keV能量范围K壳层电离截面的例子介绍了研究组的实验方法.同时,也对8种低Z元素和16种中、高Z元素在keV能区的实验数据和理论模型、经验公式进行了比较,并对目前电子原子碰撞K壳层电离截面的实验测量和理论研究的现状及需进一步开展的工作进行了讨论.
- 安竹刘慢天唐昶环付玉川彭秀峰何福庆罗正明
- 关键词：电离截面K壳层原子物理学
- 电子碰撞Ag的L壳层电离截面的测量被引量：1
- 2004年
- 作者用Si(Li)探测器测量了能量为 5～ 2 2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面 ;用MonteCarlo方法计算的电子反射能谱 ,修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响 作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较 .
- 刘慢天段艳敏吴英安竹罗正明彭秀峰
- 关键词：AG电子碰撞
