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山东省博士后创新项目(201002031)

作品数:3 被引量:11H指数:2
相关作者:高玉飞葛培琪毕文波毕玉超袁方方更多>>
相关机构:山东大学更多>>
发文基金:山东省博士后创新项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术机械工程化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇晶体
  • 2篇KDP晶体
  • 1篇单晶
  • 1篇电镀
  • 1篇应力
  • 1篇应力分布
  • 1篇杂质对
  • 1篇金刚石
  • 1篇刚石
  • 1篇SIC单晶

机构

  • 3篇山东大学

作者

  • 3篇毕文波
  • 3篇葛培琪
  • 3篇高玉飞
  • 1篇毕玉超
  • 1篇袁方方

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇河北科技大学...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
KDP晶体杂质对生长及出槽应力分布的影响被引量:3
2012年
KDP晶体中的杂质易导致其开裂。本文采用有限元法分析了不同属性、尺寸、形状的晶体杂质对大尺寸KDP晶体生长及出槽应力分布的影响。结果表明,不同属性的杂质对晶体生长应力和出槽应力分布具有不同程度的影响。杂质附近的生长应力与杂质的弹性模量呈正向变化;杂质附近的出槽应力与杂质和晶体的热膨胀系数之差呈正向变化;杂质的尺寸越大,形状越尖锐,杂质附近的生长应力和出槽应力均增大。
葛培琪袁方方高玉飞毕文波
关键词:KDP晶体应力分布
SiC单晶线锯切片及电镀锯丝制造技术的研究进展被引量:2
2013年
针对碳化硅(SiC)单晶硬度高、脆性大,金刚石线锯切片时工具磨损快、切割效率低、晶片表面亚表面易出现微破碎损伤,使SiC单晶高质量切片和高性能锯丝制造技术成为关键和难点的状况,综述了SiC单晶线锯切片及电镀金刚石锯丝制造技术的研究现状,对其中存在的问题进行了概括与分析,并提出了SiC单晶金刚石线锯切片技术的未来研究方向。
高玉飞葛培琪刘全斌毕文波
关键词:SIC单晶
KDP晶体金刚石线锯切割表面缺陷分析被引量:6
2013年
采用树脂金刚石线锯对KDP晶体进行了锯切实验,使用扫描电子显微镜对KDP晶体锯切的表面缺陷进行了分析,分析了走丝速度和工件进给速度对KDP晶体表面缺陷特征的影响。分析发现线锯锯切的晶片表面缺陷主要有呈锯齿状形态的沟槽、表面破碎、划痕、橘皮状的外观、凹坑、以及锯切表面嵌入脱落磨粒和切屑。走丝速度增大,工件进给速度降低,锯切材料的表面缺陷逐渐由以脆性破碎凹坑为主转变为以材料微切削去除留下的沟痕为主。锯丝表面脱落的金刚石磨粒在锯切过程中在锯丝压力作用下挤压嵌入或冲击加工表面造成凹坑,对材料表面和亚表面质量的损害严重。其分析结果为获得高质量的锯切表面,进一步优化工艺参数提供了实验参考依据。
高玉飞葛培琪毕文波毕玉超
关键词:KDP晶体
共1页<1>
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