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国家重点基础研究发展计划(2011CB013101)

作品数:8 被引量:11H指数:3
相关作者:童玉珍张国义左然刘鹏黄波更多>>
相关机构:北京大学江苏大学东莞理工学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇数值模拟
  • 3篇GAN
  • 3篇值模拟
  • 2篇GAN薄膜
  • 2篇MOVPE
  • 2篇MOVPE生...
  • 1篇导体
  • 1篇射流
  • 1篇输运过程
  • 1篇数对
  • 1篇数值模拟研究
  • 1篇气体浓度
  • 1篇气相沉积
  • 1篇热性能
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外-可见吸...
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇耐热

机构

  • 7篇北京大学
  • 6篇江苏大学
  • 1篇东莞理工学院
  • 1篇华南师范大学

作者

  • 7篇童玉珍
  • 6篇左然
  • 6篇张国义
  • 4篇刘鹏
  • 1篇郑树文
  • 1篇左朝朝
  • 1篇赖晓慧
  • 1篇何苗
  • 1篇师珺草
  • 1篇胡西多
  • 1篇卢钦
  • 1篇李述体
  • 1篇辛晓龙
  • 1篇李成明
  • 1篇黄波

传媒

  • 3篇发光学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇化工进展
  • 1篇Chines...
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
基于荧光玻璃的高效LED白光技术被引量:4
2016年
采用高温熔融法制备了一定质量比例的SiO_2-YAG∶Ce^(3+)片状荧光玻璃,厚度为0.2 mm,分析其XRD物相、光学和SEM微观结构、PL光谱。结果表明:荧光玻璃保留了晶相,荧光粉颗粒在玻璃基质中均匀分布,荧光玻璃和荧光粉的激发响应关系一致。在465 nm蓝光激发下,发射波长均在535 nm附近,表明荧光玻璃除含有玻璃相,还有荧光粉的物质结构特性。将不同波长蓝光芯片与不同荧光粉含量的荧光玻璃进行封装测试,结果表明:器件的流明效率可达到234.81 lm/W;色温和显色指数均随荧光粉含量增加而单调下降,呈现高色温和低显色指数;荧光粉质量分数从6%增加至15%时,不同波长激发下的色坐标x与y呈现大致相同的线性变化率。采用450 nm激光激发荧光玻璃,测试样品温度变化发现温升较缓,温降迅速,耐热性能优越。实验结果表明,将荧光玻璃用于LED白光照明封装,能实现流明效率和耐热性能的大幅提升,形成良好的白光输出。
黄波童玉珍李成明胡西多何苗郑树文李述体
关键词:光学特性耐热性能
垂直喷淋式MOCVD反应器中射流影响的研究
2014年
针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温度场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.通过模拟发现:(1)在喷口下方的反应腔空间,射流速度、温度和浓度均存在周期性波动,此波动由衬底中心到衬底边缘逐渐衰减;(2)衬底中心处的垂直射流速度大于周边的速度,中心浓度高于边缘浓度,中心温度低于边缘温度;(3)增加反应腔高度,减小喷口间距,减小喷口速度、增加衬底转速,均有利于衬底上方轴向速度和反应前体浓度沿径向分布的平缓.
陈传牧左然刘鹏童玉珍张国义
关键词:射流MOCVD反应器数值模拟
分子吸收光谱在半导体薄膜化学气相沉积中的应用
2015年
在化学气相沉积(CVD)生长半导体薄膜过程中,反应前体的浓度测量对于了解反应机理至关重要。紫外-可见吸收光谱和红外光谱是测量半导体薄膜CVD生长中分子浓度的主要工具,特别是可以实现气体浓度的原位测量。本文介绍了CVD中紫外-可见吸收光谱的测量系统,以及它们在测量Ⅲ~Ⅴ族气体浓度和确定在不同条件下化学反应路径中的应用。包括常见金属有机物等气体的吸收特征,紫外-可见吸收光谱在不同温度和压力下CVD过程中In N、Ga N薄膜生长中的应用。本文也介绍了红外光谱分析方法在CVD中的应用,包括不同条件下TMG和NH3气相反应机理的分析、SiC薄膜的元素成分分析以及Ga N薄膜的气相反应速率的确定。
汪文鹄左然刘鹏童玉珍张国义
关键词:化学气相沉积气体浓度紫外-可见吸收光谱红外光谱
MOVPE生长m面GaN薄膜的表面吸附研究
2016年
采用基于密度泛函理论的Materials Studio中的CASTEP模块,对金属有机物气相外延MOVPE生长m面GaN薄膜的表面反应前体的吸附过程进行研究。针对吸附粒子GaCH_3和NH_3在m面GaN表面不同的初始吸附位,优化计算了GaCH_3和NH_3在表面的吸附能、与近邻原子的距离、态密度、电荷密度分布、电子布居。计算结果表明,GaCH_3在表面Ga brg2位优化之后的位置最稳定,吸附能最低,GaCH_3中的Ga原子与表面邻近的N原子、Ga原子分别形成Ga-N、Ga-Ga共价键。NH_3在表面N brg2位最稳定,吸附能最低,NH_3中的N原子与表面邻近的Ga原子形成N-Ga共价键。通过对比在最佳吸附位的MMG中的Ga原子和NH_3中的N原子与表面原子的电荷分布情况和布居数,证明上述吸附粒子与表面确实存在共价作用,形成共价键。
左朝朝左然童玉珍张国义
关键词:MOVPE密度泛函理论
MOVPE生长GaN的表面反应机理被引量:3
2015年
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga(NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为(NH2)2Ga-NH-Ga(NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3(NH)3(NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。
辛晓龙左然童玉珍张国义
关键词:GAN薄膜MOVPEDFT
HVPE反应器的环形分隔进口数对生长均匀性的影响
2013年
利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究。分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量。结果显示:在只考虑输运的模型中,反应室流动均匀性随着进口环数的增多而改善。8环进口时,衬底上方温度分布最均匀;4环进口时,衬底上方的GaCl浓度较高,但均匀性最差,Ⅴ/Ⅲ比也较低;8环及12环进口可得到均匀的GaCl浓度分布及较高的Ⅴ/Ⅲ比。在包括输运和GaN生长的模型中,尽管8环进口反应器衬底上方的GaCl浓度低于12环进口反应器,却因其较薄的边界层厚度而导致较高的生长速率,并且生长均匀性较高。因此,8环进口反应室更有利于GaN的HVPE生长。
赖晓慧左然师珺草刘鹏童玉珍张国义
关键词:HVPEGAN反应器设计数值模拟
MOCVD生长AlN的化学反应-输运过程数值模拟研究被引量:3
2014年
针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究,特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响。研究结果表明,AlN在MOCVD生长中以Al(CH3)3和NH3的加合路径为主,Al(CH3)3的热解路径很弱;加合路径衍生的二聚物是薄膜生长的主要前体,三聚物是纳米粒子的主要前体;降低反应室高度,寄生反应减弱,热解路径加强,使生长速率增大;增大压强,寄生反应加剧,使生长速率下降;添加由三聚物参加的表面反应后,生长速率提高了近4倍,证明三聚物不参加薄膜生长,只是提供纳米粒子前体。
卢钦左然刘鹏童玉珍张国义
关键词:MOCVD化学反应ALN数值模拟
Mechanical properties of self-irradiated single-crystal copper被引量:1
2014年
Molecular dynamics simulations are performed to investigate the influence of irradiation damage on the mechanical properties of copper. In the simulation, the energy of primary knocked-on atoms (PKAs) ranges from 1 to 10 keV, and the results indicate that the number of point defects (vacancies and interstitials) increases linearly with the PKA energy. We choose three kinds of simulation samples: un-irradiated and irradiated samples, and comparison samples. The un-irradiated samples are defect-free, while irradiation induces vacancies and interstitials in the irradiated samples. It is found that due to the presence of the irradiation-induced defects, the compressive Young modulus of the single-crystal Cu increases, while the tensile Young modulus decreases, and that both the tensile and compressive yield stresses experience a dramatic decrease. To analyze the effects of vacancies and interstitials independently, the mechanical properties of the comparison samples, which only contain randomly distributed vacancies, are investigated. The results indicate that the vacancies are responsible for the change of Young modulus, while the interstitials determine the yield strain.
李维娜薛建明王建祥段慧玲
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