国家重点基础研究发展计划(G000028201)
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 相关作者：陈光华何斌朱秀红刘国汉丁毅更多>>
- 相关机构：北京工业大学兰州大学中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- MWECR-CVD系统新型磁场结构的研究
- 本文介绍了一种用于微波电子回旋共振CVD(MWECR-CVD)系统的新型磁场结构。这一结构由单个磁场线圈和一个永磁体单元组成。与未采用永磁体单元时相比,采用这一结构在可使样品台处的轴向磁感应强度升高80%以上,并使永磁体...
- 阴生毅张永清陈光华
- 关键词：磁场永磁体
- 文献传递
- 热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
- 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性...
- 张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅
- 关键词：A-SI:H薄膜沉积速率
- 文献传递
- a-Si∶H薄膜及MWECR-CVD制备技术被引量：1
- 2004年
- 文章回顾了a -Si∶H薄膜的发展历程 ,并介绍了其近 10年的研究状况 .为提高a -Si∶H薄膜的沉积速度 ,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR -CVD)技术 .该技术的特点是 :不含电极 ,可避免电极溅射造成的污染 ;等离子区离子密度高 ,对硅烷能高度分解 ,从而可显著提高薄膜生长速率 ;改变磁场位形和结构 ,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量 .文章还分析了其制备a -Si∶H薄膜存在的问题 ,提出了今后的研究方向 .
- 阴生毅陈光华
- 关键词：薄膜生长磁场位形氢化非晶硅薄膜
- MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜被引量：3
- 2006年
- 介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm／s 以上．为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热丝辅助的 MWECR-CVD,这一改进可以大大降低薄膜的氢含量,改善薄膜的光照稳定性．
- 刘国汉丁毅何斌朱秀红陈光华贺德衍
- 关键词：氢化非晶硅薄膜磁场微波热丝
- MWECR CVD制备氢化非晶硅薄膜的微结构研究
- Fourier红外透射（FTIR）谱技术和透射—反射光谱实验是研究氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜中氢含量和光学带隙等微结构最有效的手段。样品用微波电子回旋共振化学气相沉积（MWECR CVD）方法制备,通过合理的基线把F...
- 刘毅宋雪梅阴生毅吴越颖胡跃辉邓金祥陈光华
- 关键词：氢化非晶硅CVD氢含量光学带隙
- 文献传递
- 提高MWECR-CVD沉积a-Si:H薄膜速度的新方法
- 本文介绍了一种在沉积室样品台下方放置永磁体单元,以提高微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积速度的新方法。实验表明,采用这一方法可使沉积a-Si:H薄膜的速度提高一倍以上。
- 阴生毅陈光华宋雪梅胡跃辉吴越颖王青刘毅
- 关键词：磁场永磁体氢化非晶硅
- 文献传递
- 新型微波ECR-PECVD装置的研制被引量：4
- 2004年
- 介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合波导。应用这一装置分解H2 稀释的SiH4气体以沉积a Si:H薄膜 ,获得了
- 阴生毅陈光华粟亦农张永清
- 关键词：电磁线圈永磁体计算机仿真ECR-PECVD
- 热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究被引量：1
- 2006年
- 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。
- 刘国汉丁毅朱秀红何斌陈光华贺德衍
- 关键词：电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜热丝
- 热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
- 2006年
- 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.
- 张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅
- 关键词：A-SI:H薄膜沉积速率
