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Bi-TiO_2纳米管阵列的制备及其光催化性能被引量：2: 2013年; 以甲基橙光催化降解效率为指标、Bi(NO3)3-稀HNO3混合液为电沉积液,利用电化学沉积法探讨铋掺杂二氧化钛纳米管阵列(Bi-TNTs)的制备条件,通过SEM、XRD对其结构和形貌进行表征,考察Bi-TNTs光催化降解制糖废水的条件。结果显示,在电压为2.2 V、0.33 g/L Bi(NO3)3和0.28 mol/L HNO3溶液电沉积4 min条件下制备的Bi-TNTs可以显著提高光催化降解甲基橙及制糖废水的效率。底物pH值对Bi-TNTs光催化活性有较大影响,较强碱性环境中,Bi-TNTs对制糖废水降解率最高,光照25 h制糖废水降解率达到90.24%。; 张忠铭钟福新黎燕莫德清孟志鹏王丹宇朱义年; 关键词：电化学沉积纳米管阵列光催化 TIO2

球形CdSe纳米晶的制备及其光电性能被引量：1: 2017年; 以Cd(NO_3)_2和Na_2SeSO_3的混合液为反应体系,采用液相法(绝氧环境)制备CdSe纳米晶。探讨了Cd与Se摩尔比、Na_2EDTA用量、反应温度和反应时间等制备条件对样品在模拟太阳光下光电性能的影响。结果表明,当n(Cd)∶n(Se)=6∶1时,加入25 m L0.16 mol/L Na2EDTA、在90℃下反应40 min所得CdSe纳米晶薄膜具有较高的光电压,其值约为0.387 7 V。X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)以及扫描电子显微镜(SEM)表征结果显示,位于25.354°最强衍射峰(111)晶面和60.943°最弱衍射峰(400)晶面处的CdSe纳米晶粒尺寸分别为44.98 nm和17.82 nm;以Cd元素对CdSe进行归一化处理后,样品中Cd和Se元素原子数分数均为12.42%,质量分数分别为34.77%和24.42%;样品CdSe纳米晶体呈球形,分散均匀,直径约为100 nm。; 江瑶瑶王晶晶黎燕钟福新高云鹏朱义年莫德清; 关键词：液相法球形 CDSE纳米晶光电性能

多种尺寸和形貌Cu2 O的可控制备与表征被引量：1: 2014年; 以硫酸铜-乳酸体系为电解液,采用电化学法制备Cu2O,分别探讨了表面活性剂浓度、CuSO4浓度、溶液pH值、沉积电压、温度、添加剂等工艺参数对Cu2O形貌结构和尺寸的影响,并通过X射线衍射分析仪和扫描电镜等对Cu2O进行表征测试。试验结果表明:CTAB在一定范围内可以起到抑制晶体(200)面生长而促进(111)面择优生长的作用;随着CuSO4浓度的增大,Cu2O晶型由锥型向方型过渡;随着溶液pH值(8、10、12)的增大,Cu2O晶型由缺角立方晶型经过立方晶型向棱锥型转变;沉积电压的改变对Cu2O的择优生长晶面有影响,在2.0 V时晶体尺寸最大;随着溶液温度的提高,晶体尺寸呈先增后减的趋势,当温度为60℃时,晶体粒径最大;加入浓度为2.000 mol/L的NaCl添加剂,Cu2O呈现出二十四面体晶型结构。; 王丹宇钟福新莫德清王伟王苏宁黎燕陈兴强朱义年; 关键词：电化学法

纳米硒的制备及其光电性能被引量：2: 2016年; 以导电玻璃（ITO）为基底,采用电沉积法制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响。结果表明：在沉积电压1.7 V、沉积温度30℃、沉积时间7 min、硫脲用量为1 mmol时,纳米硒的光电压值最高,达0.868 4 V;由紫外-可见吸收光谱测得其禁带宽度Eg=1.84 e V;SEM分析发现,纳米硒呈棒状及莲花状结构,棒直径约为100 nm,长度为3-6μm;XRD表征结果显示,纳米硒主要为3种晶系的混晶系纳米晶体,在2θ为37.188°、45.246°、60.324°处分别出现斜方晶系纳米硒的（120）、（200）和（211）晶面,在2θ为30.141°、50.701°处分别出现六方晶系纳米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ为35.522°处出现单斜晶系纳米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面为择优生长取向。; 王伟黎燕王苏宁钟福新朱义年莫德清; 关键词：纳米硒电沉积

电化学法制备CdSe_xTe_y薄膜及其光电性能被引量：3: 2015年; 以Cd(NO3)2·4H2O,Na2Se O3和Na2Te O3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品。探讨了沉积电压、水浴温度、沉积时间以及Cd,Te和Se物质的量比等制备条件对样品在模拟太阳光下的开路电压的影响。结果表明,在沉积电压为3.0 V,水浴温度为50℃,沉积时间为30 min,n(Cd)∶n(Te)∶n(Se)=5.6∶1∶1时制备的CdSexTey薄膜具有较高的开路电压,其值可达到0.464 1 V。X射线衍射(XRD)分析结果显示,CdSexTey样品中含单质态Se,CdSexTey的3个主要衍射峰对应的晶粒尺寸分别为43.07,44.56和44.03 nm。能谱分析(EDS)结果显示,样品中Cd,Te,Se元素的质量分数分别是6.53%,6.25%和14.52%,原子数分数分别为1.68%,1.42%和5.32%。对Cd元素原子数分数进行归一化处理,则样品CdSexTey中x为3.17(其中有化合态Se2-为0.15,单质态Se为3.02),y为0.85。; 王伟黎燕莫德清钟福新王苏宁朱义年; 关键词：开路电压光电性能

Au-TiO_2纳米管阵列的制备及其在降解制糖废水中的应用被引量：3: 2013年; 采用阳极氧化法在纯钛表面制备出了TiO2纳米管阵列薄膜。以罗丹明B为目标降解物,20 W紫外灯(λ=253.7 nm)作为光源,探讨了制备Au-TiO2纳米管阵列(Au-TNTs)的最佳工艺,并采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、能谱分析(EDS)等对样品进行了表征。结果表明,以1g/L HAuCl4+30 g/L H3BO3为沉积液,当沉积电压为2.5 V、超声条件下电沉积时间为60 s时,可制得理想稳定的Au-TNTs;Au掺入量占薄膜质量的16.71%,Au的掺入并没有改变TiO2纳米管阵列的表面形貌及晶型,但却显著提高了TiO2纳米管阵列的光催化活性。将Au-TNTs用于制糖废水的光催化降解,结果发现:当光照时间为30 h、pH值为1时,Au-TNTs对制糖废水的光催化降解率可达89.59%,比TNTs高出80%。Au-TNTs对制糖废水的光催化降解过程符合一级动力学过程。; 孟志鹏郭冬冬钟福新朱义年黎燕廖珍旭; 关键词：AU TIO2纳米管阵列罗丹明B 制糖废水光催化降解

氮掺杂TiO_2纳米管阵列的制备及其光催化性能被引量：6: 2014年; 以甲基橙的光催化降解效率为指标,采用超声浸滞法制备了N掺杂TiO2纳米管阵列(N-TNTs)。结果显示,将TiO2纳米管阵列(TNTs)浸入0.02mol·L-1尿素溶液中,超声浸泡6min,干燥后在400℃下煅烧2h可获得N-TNTs。SEM和XRD表征结果显示,TNTs与N-TNTs形貌相似,管径均约为125nm,且锐钛矿相和金红石相相混,在2θ为35°(100)处观察到TiN0.26的衍射峰。pH=1、光照时间为4h时,N-TNTs对甲基橙的降解率达93.9%。同时,甲基橙初始浓度越低,甲基橙降解率越高。且N-TNTs光催化降解甲基橙的反应过程为拟一级动力学过程。将N-TNTs应用于光催化降解制糖废水时发现,在强碱性环境中,N-TNTs对制糖废水的降解率最高,光照25h降解率达到87.71%。; 张忠铭钟福新莫德清黎燕孟志鹏王丹宇朱义年; 关键词：N掺杂二氧化钛纳米管阵列光催化活性制糖废水

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广西壮族自治区科学研究与技术开发计划(1298002-3)