教育部重点实验室开放基金(ZDS2010014B)
- 作品数：10 被引量：35H指数：2
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- 相关机构：昆明理工大学云南北方奥雷德光电科技股份有限公司教育部更多>>
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- AgCuO电触头材料的接触电阻及电弧侵蚀形貌分析被引量：19
- 2015年
- 采用原位反应合成法制备CuO含量为10%的AgCuO电触头材料,使用接触电阻参数测试仪对试样在不同电流条件下开闭次数与接触电阻的关系进行研究,并通过扫描电镜对试样的阴/阳极表面微观形貌进行电侵蚀特性分析。结果表明,低电流条件下AgCuO电触头材料的接触电阻基本都是先升高,然后在某一开闭次数时急剧下降,最后基本趋于一定值,且AgCuO电触头材料接触电阻会随着试验电流的增加而逐渐降低;当电流达到25A时,AgCuO电触头材料的接触电阻最低,且随开闭次数的增加其接触电阻变化不大,材料的接触电阻表现出极佳的稳定性。电弧侵蚀后的形貌分析发现,阳极表面呈凹凸状,并有气孔和裂纹,而阴极表面呈现浆糊状尖峰结构。
- 陶麒鹦周晓龙周允红樊勇军张浩
- 关键词：触头材料接触电阻
- AgCuO电触头材料的电接触性能被引量：16
- 2015年
- 采用原位反应合成法制备CuO含量分别为10%、12%、15%的AgCuO电触头材料,在不同电流条件下对这3种触头材料的燃弧时间、燃弧能量、熔焊力、接触电阻等电接触性能进行了测试分析。结果表明:AgCuO电触头材料的分断燃弧时间随CuO含量的增加而增大;CuO含量为10%的样品(AgCuO(10))分断燃弧时间最为稳定;随电流的增大,AgCuO电触头材料的熔焊力不同程度地增加;电流小于20A时,CuO含量为12%的AgCuO(12)抗熔焊性较好;电流大于20A后,CuO含量为10%的AgCuO(10)抗熔焊性较好。原位反应合成法制备的AgCuO电触头材料的接触电阻随电流增大呈现出下降的趋势。
- 陶麒鹦周晓龙周允红张浩
- 关键词：燃弧时间接触电阻
- 单斜与立方CuO热力学性质模拟计算与分析
- 2016年
- 通过对单斜与立方氧化铜两种晶体结构的模型建立、几何优化、声子谱以及热力学计算与分析,发现单斜和立方两种结构的氧化铜的热力学不稳定性主要是由O原子造成的,其中单斜氧化铜的热力学性质无论是低温时还是高温时都由Cu原子和O原子共同主导,而立方氧化铜的热力学性质在低温时由Cu原子主导,高温时由O原子主导;从声子态密度的计算分析获得了两种结构氧化铜的热力学性质;同时得出了单斜氧化铜晶体和立方氧化铜晶体之间的相转变热力学温度为1 013.28K。
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- 关键词：CUO晶体结构模拟计算热力学性质相变
- 原位反应合成Ag/Al_2O_3复合材料的热力学分析被引量：1
- 2014年
- 对原位反应合成法制备Ag/Al2O3复合材料的热力学进行了计算分析。绘制了Gibbs自由能与温度关系图,结果表明:Ag与O2生成Ag2O是一种可逆反应,其可逆转变温度为462 K,而且还发现Al2O3的两种原位反应合成方式:当反应温度低于462 K,主要以Al与O2的反应生成;当反应温度高于462 K,主要以Ag2O和Al的置换反应生成,同时还对原位反应合成过程中的氧分压影响进行计算与分析。最后根据热力学计算分析结果,制备了Ag/Al2O3复合材料。
- 周允红周晓龙曹建春樊勇军
- 关键词：原位合成热力学
- 原位反应合成Ag/CuO中氧化铜的热力学计算与分析被引量：1
- 2016年
- 对原位反应合成法制备Ag/CuO复合材料中,与CuO有关的反应进行了热力学计算,并绘制了Gibbs自由能与温度关系图。结果表明,原位反应合成法制备Ag/CuO复合材料中,生成立方CuO有3种方式:一是Cu与O_2直接反应合成立方CuO;二是烧结反应过程中生成部分的Cu_2O与O_2反应合成立方CuO;三是Cu与O_2反应合成单斜CuO后,在烧结时发生相转变得到立方CuO,并得出了这3种方式的合成立方CuO的温度,同时还对原位反应合成过程中的氧分压影响进行计算与分析。此外还通过对CuO与Ag/CuO反应烧结试验后的的XRD图分析,进一步验证了热力学计算的结论。
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- 关键词：原位反应合成温度
- Ni元素对含O的Cu-W合金组织与性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用粉末冶金法分别制备了相同O含量不同Ni含量的Cu-W合金,通过金相显微镜、XRD、涡流导电仪等对合金材料的显微组织、导电率、硬度、密度等进行了检测。结果表明,在相同O含量情况下,随着Ni含量的增加,Cu-W合金上的孪晶有所减少,各相的集聚程度逐渐增加,这更加说明了Ni有利于改进Cu-W合金的组织性能;Ni的添加对Cu-W合金的性能影响较大,随着Ni含量的增加,Cu-W合金的电导率由40S/m迅速下降到5S/m,而硬度由35HB逐渐上升至68HB,同时烧结后的Cu-W合金的密度也由7.1g/cm3逐渐上升至8.0g/cm3。
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- 关键词：导电率
- 制备方法对负载Pd多孔ITO材料组织的影响被引量：1
- 2014年
- 采用等体积浸渍法和粉末冶金法分别制备负载有Pd的多孔ITO气敏材料,并通过XRD、SEM、EDS等对其物相和显微组织进行分析与比较。结果表明:通过等体积浸渍法制备得到的负载有Pd的多孔ITO气敏材料,孔隙量少、孔径较小且孔隙周围有Pd集聚的现象;而采用粉末冶金法所制得的负载有Pd的多孔ITO气敏材料,孔隙量多、孔径较大且分布十分均匀,贵金属Pd的实际负载量和理论负载量一致。
- 周允红周晓龙曹建春曹宇樊勇军
- 关键词：ITO粉末冶金法
- 原位反应合成AgSnO_2CuO电触头复合材料性能的研究被引量：1
- 2015年
- AgCu、AgSn、AgSnCu、Ag_2O、Ag粉经研磨、烧结和复压复烧等实验过程制备出AgSnO_2CuO复合材料,并研究了该材料的密度、硬度、电阻率以及显微组织。结果表明,以AgCu、AgSn为原料的复合材料组织分布比以AgSnCu为合金原料的均匀,并且弥散程度较高。此外,压坯密度和烧结后样品密度变化不大,且复压复烧可有效提高样品的密度,复压复烧后样品的电阻率比烧结态的低,而硬度有所升高。
- 周晓龙郑忠于杰曹建春
- 关键词：显微组织电阻率
- 多孔ITO负载贵金属的制备和气敏性能表征被引量：1
- 2014年
- 采用等体积浸渍法分别将Ag、Pd、Pt三种贵金属负载到用固相烧结法制备的多孔ITO材料上,并通过XRD、SEM和EDS等手段对相应的物相和显微组织进行了分析。结果表明:由于多孔ITO孔径较小,以及盐溶液对ITO表面结构的破坏和腐蚀,造成浸渍液难以进入到样品内部,使负载的贵金属在多孔ITO表面集聚,导致贵金属的实际负载量高于理论负载量。通过对乙醇的气敏性能测试结果表明:Pd的负载能提高多孔ITO气敏材料的灵敏度;Pt的负载对多孔ITO气敏材料的灵敏度影响不大;而Ag的负载则降低了多孔ITO气敏材料的灵敏度。
- 周允红周晓龙曹建春封皓樊勇军
- 关键词：ITO贵金属气敏性
- Pd负载量对多孔ITO材料CO气敏性的影响
- 2015年
- 采用粉末冶金法制备了不同Pd负载量的多孔ITO材料,通过XRD、SEM、EDS等对相应的物相和显微组织进行了分析.结果显示:粉末冶金法制备的负载Pd的多孔ITO材料,孔隙较多,孔的大小和分布十分均匀.Pd以微小团簇弥散分布于ITO材料上,Pd的理论和实际负载量较一致,含量的多少对ITO材料的孔结构没有影响.通过对CO气体的灵敏度测试表明,Pd的负载能提高多孔ITO材料对CO气体的灵敏度,含量的多少对CO气体的灵敏度有较大影响.
- 周允红周晓龙曹建春曹宇樊勇军
- 关键词：PD粉末冶金法气敏性
