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不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响: 2012年; 在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)散射光谱对样品进行特性分析.结果表明,在能量密度为2～4J/cm2时,衬底上沉积的纳米硅晶粒尺寸和面密度基本不变.结合纳米晶粒成核生长动力学,对结果进行了定性解释.; 邓泽超罗青山丁学成褚立志王英龙; 关键词：脉冲激光沉积能量密度晶粒尺寸

Pressure ranges of velocity splitting of ablated particles produced by pulsed laser deposition in different inert gases: 2013年; The transport of ablated particles produced by single pulsed-laser ablation is simulated via Monte Carlo method. The pressure ranges of velocity splitting of ablated particles in different inert gases are investigated. The result shows that the range of velocity splitting decreases with the atomic mass of the ambient gas increasing. The ambient gas whose atomic mass is more than that of Kr cannot induce the velocity splitting of ablated particles. The results are explained by the underdamping model and the inertia flow model.; 丁学成王英龙褚立志邓泽超梁伟华傅广生; 关键词：脉冲激光沉积脉冲激光烧蚀蒙特卡罗方法

外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究被引量：1: 2012年; 为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小;在距靶1～2 cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反。通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长。; 邓泽超王世俊丁学成褚立志梁伟华赵亚军陈金忠傅广生王英龙; 关键词：脉冲激光烧蚀

氧对饵掺杂硅纳米晶粒电子结构和光学性质的影响: 2012年; 采用第一性原理,对O与Er共掺杂硅纳米晶粒的电子结构及光学性质进行了计算。计算结果表明:O原子的掺杂没有影响Er掺硅纳米晶粒的禁带宽度;Er掺硅纳米晶粒结构在紫外区的吸收峰因O原子的掺入明显加强,红外区源于Er原子的吸收峰峰值减小。; 王秀丽王英龙梁伟华傅广生; 关键词：纳米晶粒掺杂电子结构光学性质

不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究被引量：4: 2011年; 在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜。采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征。结果表明:沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内,晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小;随着激光能量密度的增加,晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽,但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变,只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移。结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程,通过模拟激光烧蚀靶材的动力学过程,对纳米Si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究。; 邓泽超罗青山胡自强丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙; 关键词：脉冲激光烧蚀能量密度

脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核气压阈值及动力学研究被引量：4: 2011年; 采用脉冲激光烧蚀技术,在室温、低压Ar气条件下通过改变气体压强及靶与衬底间距,对纳米Si晶粒成核的气压阈值进行了研究.根据扫描电子显微镜图像、拉曼散射谱和X射线衍射谱对制备样品的表征结果,确定了在室温、激光能量密度为4J/cm2、靶与衬底间距为3cm条件下形成纳米Si晶粒的阈值气压为0.6Pa.结合流体力学模型和成核分区模型,对纳米晶粒的成核动力学过程进行了分析.通过Monte Carlo数值模拟,表明在气相成核过程中,烧蚀Si原子的温度和过饱和密度共同影响着纳米晶粒的成核.; 邓泽超罗青山丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙; 关键词：脉冲激光烧蚀成核 MONTE

低压下气流对激光沉积纳米硅晶化及尺寸的影响被引量：1: 2013年; 纳米硅具有明显的光致发光效应和量子尺寸效应,广泛的应用在现代电子工业和太阳能光伏工业中.尺寸影响着纳米硅的实际用途,因此制备尺寸可控的纳米硅晶粒具有很重要的实际意义.本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点水平方向、距靶2cm处引入一束流量为5sccm的氩(Ar)气流,在0.01—0.5Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在管口正下方1cm处水平放置衬底来沉积纳米Si薄膜;并用同一装置,在0.08Pa的Ar气压下分别引入流量为0,2.5,5,7.5,10sccm的Ar气流沉积纳米Si薄膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征.结果表明:不引入气流时出现纳米Si晶粒的阈值气压是0.1Pa,引入气流后出现纳米Si晶粒的阈值气压为0.05Pa.晶粒尺寸随着气流流量的增大而减小.; 王英龙高建聪褚立志邓泽超丁学成梁伟华傅广生; 关键词：脉冲激光烧蚀尺寸

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河北省自然科学基金(E2011201134)