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国家自然科学基金(50271014)

作品数:7 被引量:17H指数:3
相关作者:彭斌蒋洪川张万里杨仕清张文旭更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇磁致伸缩
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇交换耦合
  • 2篇磁致伸缩系数
  • 1篇形状各向异性
  • 1篇异常数据
  • 1篇噪声
  • 1篇热处理温度
  • 1篇挠度
  • 1篇挠度分析
  • 1篇基片
  • 1篇计量学
  • 1篇白噪声
  • 1篇PERFOR...
  • 1篇SPUTTE...
  • 1篇

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇张万里
  • 6篇蒋洪川
  • 6篇彭斌
  • 5篇杨仕清
  • 5篇张文旭
  • 4篇张金平
  • 1篇唐军
  • 1篇林黎蔚
  • 1篇陈志川

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇压电与声光
  • 1篇计量学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 5篇2005
  • 1篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响
2005年
 采用直流磁控溅射法制备了非晶态 TbFe磁致伸缩薄膜,通过基片的倾斜安装研究了基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响。结果表明:随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的磁致伸缩系数增大,在外加磁场110kA·m-1下基片倾斜角度为 60°时薄膜磁致伸缩系数达到最大值 1.02×10-4,并且随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的易磁化方向由垂直膜面方向逐渐转向平行膜面方向。这是由于倾斜基片溅射形成的倾斜的薄膜柱状微结构产生的形状各向异性引起的。
张金平蒋洪川张万里彭斌张文旭杨仕清
关键词:直流磁控溅射形状各向异性
基于材料力学的磁致伸缩薄膜悬臂梁挠度分析
2005年
采用材料力学法对磁致伸缩薄膜两层悬臂梁挠度与薄膜磁致伸缩系数的关系进行了分析,所得结果与采用能量最小化和有限元法导出的结果完全一致,并将其扩展到多层悬臂梁的情形,得到了一个简洁的表达式。
张金平蒋洪川张万里彭斌张文旭杨仕清
关键词:挠度磁致伸缩系数
伪邻近点法分析薄膜磁致伸缩测试中异常数据被引量:1
2007年
采用伪邻近点法,对薄膜磁致伸缩系数测试试验中得到的不同性质的测试数据分别进行处理,发现它们具有确定性的特征,从而可得测试中异常状态基本由系统本身引起,这样通过调节及改进测试系统就能减小其影响,得到较为可靠的光点位移数据。
唐军杨仕清张万里蒋洪川彭斌陈志川
关键词:计量学磁致伸缩白噪声
Influences of Sputtering Angles and Annealing Temperatures on the Magnetic and Magnetostrictive Performances of TbFe Films被引量:4
2005年
To increase the low-field magnetostriction of TbFe films, the influences of sputtering angles and annealing temperatures on its magnetic and magnetostrictive performances were systematically investigated. With the change in detection of magnetic domains by MFM (magnetic force microscopy) indicates that the easy magnetization direction shifts gradually from perpendicular to parallel to the film plane with decreasing sputtering angles. Annealing can enhance the magnetization and magnetostriction of the TbFe films. However, at too high annealing temperature,both the magnetization and magnetostriction of the TbFe films were suppressed to some extent.
Hongchuan JIANG, Wanli ZHANG, Wenxu ZHANG, Shiqing YANG and Huaiwu ZHANG College of Microelectronics and Solid State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
TbFe_x薄膜的成分控制及其对磁结构的影响
2005年
利用直流磁控溅射工艺制备了T bF ex薄膜,通过改变溅射气压调节薄膜的成分,利用磁力显微镜研究了薄膜成分对畴结构的影响,最后从理论上讨论A r气压对磁致伸缩薄膜T bF ex成分的影响,并建立了理论模型。结果表明:A r气压在相当大的范围内影响着T bF ex膜的成分,当气压从0.2 Pa增加到0.6 Pa时,T b原子数百分比从30%增加到45%,磁力显微镜(M FM)观察到当T b含量减少时,在零场下的磁化强度由与膜面垂直方向变为平行于薄膜平面方向。
林黎蔚张万里张文旭蒋洪川彭斌
关键词:磁致伸缩薄膜磁控溅射磁畴
热处理温度对TbFe_2/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的影响被引量:7
2004年
 采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响。采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的晶化曲线、成分随深度的变化以及磁致伸缩系数进行了分析与测试。结果表明:TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为327℃,在此热处理温度下热处理60min,外加磁场1.6×104A/m时,TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数可达1.56×10-4。采用XPS分析了一个周期的TbFe2/Fe成分随薄膜深度的变化,未经热处理的薄膜Fe层和TbFe2层之间界面清晰,两层之间有少量的扩散。经327℃热处理60min的薄膜Fe层和TbFe2层界面发生了互扩散,原子数之比也发生了改变。
张万里蒋洪川张金平彭斌张文旭杨仕清
关键词:直流磁控溅射磁致伸缩系数
TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的制备被引量:5
2005年
采用双靶磁控溅射法制备了 TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜,考察了热处理时间、Fe层厚度、溅射功率以及Ar气分压对多层膜低场磁致伸缩性能的影响。研究结果表明:TbFe 磁致伸缩层与软磁 Fe层之间通过交换耦合作用以及热处理能明显提高薄膜的软磁性能和磁致伸缩性能;TbFe/Fe多层膜的磁致伸缩性能对热处理时间、Fe 层厚度、溅射功率、Ar 气分压等薄膜沉积参数十分敏感;与 TbFe 磁致伸缩薄膜相比TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜水平方向的矫顽力从 16kA/m降低到 9.6 kA/m。在外加磁场为8000 A/m条件下,TbFe/Fe磁致伸缩多层膜最大磁致伸缩系数可达1.58×10-4。
蒋洪川张万里张金平彭斌张文旭杨仕清
关键词:交换耦合磁致伸缩磁控溅射
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