浙江省自然科学基金(LY12F04003)
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
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- 相关机构：浙江工业大学中国科学院国家空间科学中心中国科学院更多>>
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- 基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响被引量：1
- 2014年
- 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。
- 周星宝周守利
- 关键词：INPINGAPGAASSBINP热电特性
- 界面极化效应对AlGaN/4H-SiC HBT器件性能影响研究
- 2014年
- AlGaN/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变。利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对AlGaN/4H-SiC HBT器件直流性能和高频性能的影响。得到了AlGaN/4H-SiC异质结界面极化效应引诱的正极性极化界面电荷削弱了异质结的内建电场,加速了载流子的扩散运动,因而能促进载流子的输运,从而使器件的直流特性和高频特性得到改善。
- 周守利李伽梁显锋安军社
- 关键词：ALGAN4H-SICHBT
- 异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究被引量：2
- 2013年
- 异质结界面电荷的存在改变了异质结的内建势,这引起了界面势垒尖峰高度和形状的扰动,从而使异质结界面载流子的输运产生相应的变化,最终导致异质结双极晶体管(HBT)性能的改变.基于热场发射-扩散模型,对异质结界面电荷对InP/InGaAs HBT性能的改变做了研究,得到结论是正极性的界面电荷有利于InP/InGaAs HBT的直流和高频特性的改善,而负极性的界面电荷则使器件的直流和高频特性变差.
- 周守利李伽任宏亮温浩彭银生
- 关键词：INP界面电荷
- InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析被引量：1
- 2012年
- 双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错Ⅱ型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比,E-B异质结采用传统Ⅰ型、B-C异质结采用交错Ⅱ型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.
- 周守利杨万春任宏亮李伽
- C波段携轨道角动量螺旋波微带阵天线设计被引量：2
- 2015年
- 本文以同轴馈电的矩形微带天线作为阵单元,将8个相同的单元天线等间隔分布在一个同心圆面上以组成微带阵天线,并采用等幅但相邻单元间相位差为一常数的方式进行激励。基于三维高频结构电磁模拟软件仿真优化,在中心频率为6GHz处,根据不同的相位延迟得到不同模式的携有轨道角动量的方向图。仿真结论表明,该新颖的微带阵天线能产生携有轨道角动量的螺旋电磁波。
- 周守利俞奇梁显锋安军社
- 关键词：轨道角动量矩形微带天线方向图
