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国家高技术研究发展计划(2006AA04Z354)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:顾雯雯温志渝温中泉梁凤飞徐溢更多>>
相关机构:重庆大学更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导检测
  • 1篇电容耦合
  • 1篇电泳芯片
  • 1篇英文
  • 1篇芯片
  • 1篇毛细管
  • 1篇毛细管电泳
  • 1篇毛细管电泳芯...
  • 1篇非接触电导检...

机构

  • 2篇重庆大学

作者

  • 2篇温中泉
  • 2篇温志渝
  • 2篇顾雯雯
  • 1篇徐溢
  • 1篇梁凤飞

传媒

  • 2篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
侧壁四电极电容耦合非接触电导检测器(英文)
2012年
研制了一种集成于硅基电泳芯片分离沟道末端侧壁的新型四电极电容耦合非接触电导检测器.研究了该电导检测器的等效模型,对等效电路模型中的参数进行了公式推导,并讨论了影响电导检测响应灵敏度的相关因素.采用深刻蚀及离子注入加工技术制得了用于电导检测的立体电极.制作了基于锁相放大原理的信号处理电路,对该电导检测的频率响应及灵敏度进行了测试分析.实验结果表明,当激励信号频率为300 kHz时,该电导检测器具有最佳线性度;不同浓度Na+溶液响应电压差值为5 mV;检测限达到10-8mol/L;且成功实现了Na+和Li+混合无机阳离子的电泳分离在线检测.
顾雯雯温志渝徐溢温中泉梁凤飞
关键词:毛细管电泳芯片
硅基电泳芯片非接触电导检测器被引量:1
2010年
研制了一种集成于硅基电泳芯片分离沟道末端侧壁的新型二电极非接触电导检测器.讨论了影响电导检测响应灵敏度的相关因素;采用MEMS分析软件及等效电路模拟仿真,确定了检测器的相关参数,电极长度为550μm,宽度为15μm,间距为80μm,绝缘层厚度为1μm,电导检测工作频率为300 kHz.在加工技术中,选用SOI(sili-con on insulator)基片制作十字形微沟道及集成电导检测电极,采用深刻蚀和隔离技术使检测电极被完全隔离成孤岛,利用硼掺杂技术在分离沟道末端侧壁形成立体电极,获得了集成非接触电导检测电极的硅基电泳芯片.在外加Vpp为10 V、工作频率为300 kHz的正弦波激励下,进行了Na+无机阳离子浓度梯度实验以及Na+和Li+混合无机阳离子的电泳分离检测.结果表明,Na+浓度在1×10-9~1×10-4 mol/L范围内,电导响应信号随着离子浓度的增加而增大,检出限达到1×10-9 mol/L;Na+和Li+混合无机阳离子的分离度达到2.0,实现基线分离.
顾雯雯顾雯雯温中泉温志渝梁凤飞温中泉
关键词:非接触电导检测
共1页<1>
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