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国家重点基础研究发展计划(2006CB604908)

作品数：10 被引量：19H指数：3
相关作者：张国义杨志坚陈涌海沈波胡晓东更多>>
相关机构：北京大学中国科学院东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 6篇理学

主题

  • 3篇量子
  • 3篇晶体
  • 3篇INAS/G...
  • 2篇英文
  • 2篇量子点
  • 2篇XGA
  • 2篇GAN
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇N
  • 2篇X
  • 1篇带间跃迁
  • 1篇氮化镓
  • 1篇形变
  • 1篇杨氏模量
  • 1篇异质结
  • 1篇应力
  • 1篇应力分布
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇跃迁
  • 1篇三元系

机构

  • 7篇北京大学
  • 4篇中国科学院
  • 1篇东南大学

作者

  • 7篇张国义
  • 4篇沈波
  • 4篇杨志坚
  • 3篇陈涌海
  • 3篇秦志新
  • 3篇廖辉
  • 3篇胡晓东
  • 2篇李丁
  • 2篇陈伟华
  • 2篇许福军
  • 2篇李睿
  • 2篇杨子文
  • 2篇王占国
  • 1篇胡良均
  • 1篇周振宇
  • 1篇张延召
  • 1篇张晓敏
  • 1篇贾全杰
  • 1篇唐宁
  • 1篇王茂俊

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇发光学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 9篇2008
  • 2篇2007
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延被引量：3
2008年
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律.
赵暕陈涌海王占国徐波
关键词：图形衬底量子点量子环
铟对GaN基激光器晶体质量的影响
2008年
利用高分辨X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN基蓝紫半导体激光器中的n型AlGaN/GaN超晶格在铟背景下进行生长对器件的晶体质量的影响进行了研究分析。分别测量了(0002),(1011),(1012),(1013),(1014),(1015)和(2021)不同晶面的摇摆曲线。利用Williamson-Hall图对X射线衍射的试验结果进行了分析,进而研究了该器件中的线位错。分析表明,在铟背景下生长的n型AlGaN/GaN超晶格相对传统的AlGaN/GaN超晶格而言,可以大大降低GaN基蓝紫半导体激光器中的位错密度并获得较好的晶体质量。这一结论与利用原子力显微镜分析得到的结论完全一致。
廖辉杨志坚张国义胡晓东
关键词：超晶格X射线衍射氮化镓
用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布被引量：4
2008年
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布。测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差。实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN衬底的[110]和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级。蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级。因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测。
周振宇陈涌海
关键词：各向异性内应力
AlxGa1-x N／GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响被引量：6
2008年
用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga0.25N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦合势垒高度、中间耦合势垒宽度、势阱宽度和势垒掺杂浓度的依赖关系.研究发现,第一奇序子带S1ood与第二偶序子带S2even ISBT波长随着中间耦合势垒高度的降低而变短.当中间耦合势垒高度高于0.62eV时,S1odd-S2even ISBT吸收系数随着中间耦合势垒的降低而增加.当减小AlxGa1-xN/GaN的DQWs中间耦合势垒宽度时,S1odd-S2even ISBT波长将变短,其吸收系数变大.另一方面,当对称DQWs的势阱宽度大于1.9nm时,S1odd-S2even ISBT波长随着势阱的变窄而减小,S1odd-S2even ISBT吸收系数随着势阱的变窄而增加.当势垒中的掺杂浓度小于1018/cm3时,S1odd-S2even ISBT波长基本不随掺杂浓度变化,而吸收系数随掺杂浓度的增加而增加.这些结果对于利用DQWs实现工作于光纤通信波段超快的、基于三能级或四能级系统的双色光电子器件的应用具有指导意义.
雷双瑛沈波张国义
高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
2007年
采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断('pop-in')行为,并且发现'pop-in'行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的'pop-in'行为随Al组分增加而减少.
许福军沈波王茂俊许谏苗振林杨志坚秦志新张国义蔺冰白树林
关键词：杨氏模量力学性质塑性形变
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
The wetting layers(WL) in InAs/GaAs quantum-dot system have been studied by reflectance difference spectroscop...
Yonghai ChenChenguang TangBo XuPeng JinZhanguo Wang
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al_(0.24)Ga_(0.76)N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡...
唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义
文献传递
Photorefractive Effect of a Liquid Crystal Cell with a ZnO Nanorod Doped in Only One PVA Layer
2011年
We observe obviously different diffraction efficiencies with forward and reverse dc voltages in a forced-light-scattering(FLS)experiment for a cell with ZnO nanorod doped in only one poly(vinyl alcohol)(PVA)layer.When a dc voltage with a positive pole on the ZnO nanorod doped side is applied,the excited charge carriers primarily move along the transverse direction,which results in a higher diffraction efficiency.Conversely,when the dc voltage with a negative pole on the ZnO nanorod doped side is applied,the excited charge carriers primarily move along the longitudinal direction,which leads to a lower diffraction efficiency.A largest diffraction efficiency of about 9%is achieved in the ZnO nanorod doped liquid crystal cell.
郭玉冰陈涌海项颖曲胜春王占国
关键词：SCATTERINGPHOTOREFRACTIVECRYSTAL
MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)
2008年
通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω.cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,在受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.
张晓敏王彦杰杨子文廖辉陈伟华李丁李睿杨志坚张国义胡晓东
关键词：P型GAN自补偿MOCVD
In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
2010年
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。
张延召秦志新桑立雯许正昱于涛杨子文沈波张国义赵岚张向锋成彩晶孙维国
关键词：激活能
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