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湖南省教育厅科研基金(10C0109)

作品数:2 被引量:2H指数:1
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇混频
  • 2篇混频器
  • 2篇CMOS
  • 2篇CMOS工艺
  • 1篇正交混频器
  • 1篇射频混频器
  • 1篇零中频

机构

  • 2篇湖南工程职业...

作者

  • 2篇周少华

传媒

  • 2篇吉首大学学报...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于吉尔伯特型的CMOS射频混频器的设计被引量:2
2011年
采用多晶电阻作为输出负载、开关对的源极注入电流、共源节点串联电感、驱动级的源简并阻抗方法,提出了一种新型的双通道正交混频器,并采用Candence完成了电路设计.仿真结果表明:在电源电压为1.8V,本振信号输入功率为3 dBm的时,混频器在1 MHz中频处的单边带噪声系数为7.47 dB,在100 kHz中频处为9.35 dB,在10 kHz中频处为16.39 dB;变频增益降为8.46 dB.提高了线性度,且其三阶交调点为8.42 dBm.
周少华
关键词:正交混频器CMOS工艺
吉尔伯特型CMOS零中频混频器的设计
2012年
利用动态电流注入、共源节点谐振、改善2阶线性度性能技术,应用CMOS工艺,利用Candence设计了一款1.8V电源电压折叠式Gilbert型有源零中频混频器.电路仿真结果显示,混频器在1MHz,100kHz,10kHz处的单边带噪声系数为6.109,6.71,10.631dB,频率转换的增益为11.389dB,输入的3阶交调点为4.539dBm.
张武龙周少华
关键词:零中频CMOS工艺
共1页<1>
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