中国科学院知识创新工程(KJCX2-SW-04)
- 作品数：3 被引量：18H指数：3
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- 相关机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 不同衬底材料的ZnO/Si异质结I-V及光电特性被引量：5
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E(光电响应)特性曲线.结果发现ZnO/n-Si结有很低的反向暗电流,SiC缓冲层能提高反向击穿电压,ZnO/p-Si(p+)异质结能有较强的光电响应,ZnO/n-Si(n-)更适合作为大波段区间的光探测器.还发现波长470,480,490nm处类似于声子伴线的光谱结构.
- 刘峥嵘谢家纯郭俊福李雪白赵朝阳刘文齐傅竹西
- 关键词：ZNO脉冲激光沉积深能级
- ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性被引量：10
- 2006年
- 基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的ZnO薄膜;用电子束蒸发In/Ag、In/Al、Ti/Au,微电子光刻工艺制作范德堡、传输线、梳状电极和n-ZnO/p-Si异质结UV增强光电探测器,并在200～500℃时,在氩气保护下制作合金样品,测量样品的I-V特性、电阻率、载流子浓度、异质PN结的UV光谱响应,以及对XPS结构组分进行分析等.测试结果表明,采用金属功函数低的In、Ti做中间导电层,并在400℃退火合金后,In/Ag、In/Al、Ti/Au与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触.
- 孙腾达谢家纯粱锦黄莉敏林碧霞傅竹西
- 关键词：宽带隙ZNO欧姆接触异质结紫外
- 一种SiC高温温度传感器被引量：4
- 2003年
- 理论表明,当流过SiC肖特基势垒二极管的正向电流恒定时,在一定温度范围内,器件两端的正向压降与温度变化之间存在线性关系。利用此特性,可以制造SiC高温温度传感器。阐述了SiC高温温度传感器的工作原理、结构特点和工艺过程,介绍了传感器系统的结构。系统的测温范围在0～500℃,测量准确度可达0.5℃。
- 胡林辉谢家纯徐军王颖易波
- 关键词：温度传感器SIC系统结构宽带隙碳化硅
