国家自然科学基金(10765003)
- 作品数：28 被引量：40H指数：4
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- 一维长程幂率关联无序系统中并发纠缠的带状结构被引量：4
- 2010年
- 考虑长程幂率关联,研究一维安德逊对角模型基态的并发纠缠,验证了较长链情况下并发纠缠的带结构的存在.讨论了并发纠缠的带结构以及带结构宽度随链长的变化.结果表明,随着链长的增加,并发纠缠带的结构宽度逐渐变窄.
- 宣治国郭子政孙咏萍张院生
- 关键词：带结构
- Glauber动力学下二维随机网络上的损伤扩散
- 2010年
- 研究了Glauber动力学下肥皂泡和Voronoi模型上伊辛模型的损伤扩散性质.不考虑面积影响时,肥皂泡和Voronoi结构中平均Hamming距离〈D〉max<0.5,这是由于所用算法造成的,而Glauber动力学下〈D〉max=0.5的结论仍具有一般性.考虑面积影响后,由于网络中孤立自旋增多,使得〈D〉max进一步下降.
- 郭子政廖国
- 关键词：HAMMING距离
- 并五苯系列电子性质的研究被引量：2
- 2011年
- 采用单电子紧束缚模型计算了并五苯分子的电子能级和波函数,并与并四苯、并六苯、并七苯进行了比较.结果表明,随着并苯系列分子数的增加,基态电子能级逐渐减小,而最高激发态的电子能级逐渐增大.研究了氢掺杂对并五苯电子性质的影响,波函数二阶矩的数值结果表明,掺杂的氢原子个数越多,二阶矩值越小,掺杂后的并五苯电子态局域性越大.另外,电子能级对掺杂位置比较敏感.
- 杨惠纯郭子政苏琳峰甄鹏
- 关键词：并五苯电子性质电子能级掺杂
- 外场取向对铁磁/反铁磁双层膜交换偏置的影响被引量：2
- 2011年
- 利用斯通纳-沃尔法斯(Stoner-Wohlfarth,SW)模型详细讨论了铁磁/反铁磁双层膜交换偏置对外场取向角的依赖关系。解析推导出转换场和矫顽力的表达式。用两种办法计算了交换偏置场(he)和磁滞回线的半宽度(HWHL),结果分别用(he)s、(HWHL)s和(he)c、(HWHL)c表示。计算表明,(he)s、(HWHL)s和(he)c、(HWHL)c有很大区别,而只有(he)s和(HWHL)s显示出明显的阶跃现象。我们的结果还说明,转换角方程的奇点是阶跃现象的根源。另外,能量曲线的局域极小不是阶跃现象产生的必要条件。
- 郭子政王宙斐旷卫民李海胡旭波
- 关键词：交换偏置矫顽力
- 斯通纳粒子LLG方程的线性稳定性分析被引量：1
- 2009年
- 利用微分方程线性稳定性判据,分析了斯通纳粒子LLG方程的动力学性质.随着外加磁场的增强,LLG方程的不动点发生从中心到鞍点或鞍点到中心的转换.当磁场垂直于易轴时,转换后的中心不在易轴上,仅当磁场平行于易轴时才存在不依赖磁场的不动点,且在某个磁场范围内可以发生所期待的沿易轴的两种取向m0和-m0的转换.
- 郭子政
- 关键词：稳定性
- 具有幂率度分布的随机图上的幸存者统计和平均位损伤被引量：1
- 2008年
- 研究具有幂率度分布的随机图上的损伤扩散.利用幸存者统计对损伤扩散过程中的各类个体变化进行了分析和分类,指出幸存者的数量和Hamming距离一样可以作为损伤扩散相变的指示器.讨论了利用平均位损伤作为损伤扩散新测度的可能性,结果表明,幸存者、平均位损伤等概念的引入加深了对具有幂率度分布的随机图上的损伤扩散的理解.
- 郭子政崔彦吴晓薇赵保利
- 关键词：伊辛模型幸存者
- 压力下Si/Ge超晶格热电材料的声子谱和群速度
- 2009年
- 利用面心立方模型和晶格动力学理论计算了Si/Ge超晶格材料的纵向(z)和横向(x)声学声子谱,用半解析的方法计算了声学声子传播的群速度.计算结果表明,纵向声子谱有简并的现象,横向声子谱没有简并,在布里渊区的中心和边界,纵向和横向声子的群速度几乎减小为零.引入流体静力学压力并修正应变存在时的力常数,研究了应变对超晶格材料声子谱和群速度的影响,结果表明,静压使声学声子的频率系统性上升,使声学声子的群速度明显增大.
- 崔彦郭子政张院生宣志国
- 关键词：晶格动力学声子谱群速度静压
- 二维粗锐结构声子晶体带结构的计算被引量：1
- 2009年
- 提出二维粗锐结构声子晶体模型,采用平面波展开法数值计算了不同体积填充率下二维正方粗锐和圆粗锐结构声子晶体的带结构.计算结果表明,利用粗锐结构的散射体同样可获得较宽的完全带隙,正方粗锐和圆粗锐结构的声子晶体最大带隙分别出现在体积填充率为f=0.313 6和f=0.321 6处.
- 姜自磊杨旭曹永军周培勤
- 关键词：声子晶体带结构带隙
- 柱状多层磁纳米线的畴壁结构
- 2011年
- 使用微磁学方法仔细分析了柱状多层纳米线畴壁的轴向和径向分布。在轴对称的情况下,通过适当改变各向异性能的形式,得到了柱状多层纳米线畴壁的径向分布欧拉方程的一个解析解。数值计算说明,此解析解可以给出合理的畴壁分布。
- 苏琳峰郭子政甄鹏杨惠纯
- 关键词：畴壁微磁学
- 四元混晶InGaAsP应变量子阱在压力调制下的能带转型
- 2010年
- 采用模型固体理论计算了四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/In0.85Ga0.15As0.7P0.3/In1-xGaxAsyP1-y单量子阱系统中电子和空穴的能带结构,研究了流体静压力对能带的调制作用.结果表明:通过引入流体静压力,可以方便地实现单量子阱的能带转型(类型Ⅰ到类型Ⅱ的转变);当x=0.2,y=0.7时,电子、重空穴、轻空穴能带转型时的临界压力分别约为0.5,8,1.5GPa;0.5GPa≤P<8GPa时,量子阱的能带均为类型Ⅱ.
- 张院生郭子政
- 关键词：静压力
